--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SSS7N60A-VB 产品简介
SSS7N60A-VB 是一款 **TO220F 封装** 的 **单 N 沟道功率 MOSFET**,采用 **Plannar 技术**。该 MOSFET 的最大 **漏源电压(VDS)** 为 **650V**,适用于高电压场合。其 **阈值电压(Vth)** 为 **3.5V**,适合多种电源管理和开关控制应用。SSS7N60A-VB 的 **导通电阻(RDS(ON))** 为 **1100mΩ(VGS = 10V)**,在较高栅源电压下仍能够提供有效的电流控制,最大 **漏极电流(ID)** 为 **7A**。该型号在大功率应用中表现出色,能够高效处理高电压和电流。
### SSS7N60A-VB 参数详解
1. **封装类型:** TO220F
2. **配置:** 单 N 沟道
3. **最大漏源电压(VDS):** 650V
4. **最大栅源电压(VGS):** ±30V
5. **阈值电压(Vth):** 3.5V
6. **导通电阻(RDS(ON)):**
- **1100mΩ**:当栅源电压为 10V
7. **最大漏极电流(ID):** 7A
8. **技术特性:** Plannar 技术
9. **应用领域:** 高电压电源管理、电机驱动、逆变器、功率控制等
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理系统:**
SSS7N60A-VB 在 **电源管理系统** 中表现优异,特别是用于 **开关电源(SMPS)**、**DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 转换器**。其 **650V** 的漏源电压使其适用于高电压的电源系统,而其低导通电阻确保了高效率。该 MOSFET 可有效控制大功率电流,在电力转换和电池管理中提供高效能。
2. **逆变器:**
SSS7N60A-VB 适用于各种 **逆变器**,特别是在 **太阳能逆变器**、**风能逆变器** 和 **电动汽车(EV)充电站逆变器** 中。其高电压承受能力和低导通电阻使其在大功率逆变应用中表现出色。该 MOSFET 可将直流电转换为交流电,广泛应用于可再生能源和电力系统。
3. **工业电机驱动:**
在 **工业电机驱动系统** 中,SSS7N60A-VB 可以作为开关器件,应用于 **电动工具驱动、机器人控制系统** 和 **电动机控制器**。其高电压和中等电流承载能力适合大多数工业电机控制应用,提供精准的电流和功率控制。
4. **电力电子系统:**
SSS7N60A-VB 可用于 **电力电子系统**,如 **电源模块、电压变换器和高效电源管理系统**。该 MOSFET 提供稳定的高电压开关,广泛用于现代电子设备中,需要高可靠性和高电压耐受性。
5. **高效电源转换器:**
在 **高效电源转换器** 中,SSS7N60A-VB 具有低导通电阻和高电压能力,适用于处理高电压电源转换和大功率负载。特别是在 **UPS 系统(不间断电源)** 和 **高功率电池充电器** 中,能够确保电流的高效转换和稳定输出。
### 总结
SSS7N60A-VB 是一款 **650V** 漏源电压、**7A** 漏极电流的 **N 沟道功率 MOSFET**,广泛应用于高电压电源管理、工业电机驱动、逆变器、功率电子系统等领域。凭借其 **Plannar 技术** 和适中的导通电阻,SSS7N60A-VB 可为多个高功率电气应用提供高效、可靠的电流控制。
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