--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**SSS6N55-VB** 是一款高压 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高电压支持的电源管理、开关电源等领域。该产品具备最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)为 ±30V,适合高压开关应用。其最大漏极电流(ID)为 7A,能够处理中等功率负载。采用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)=1100mΩ @ VGS=10V),有助于降低导通损耗并提高效率。其稳定的电性能和高压耐受能力使其在各种高电压电源模块中表现优异,尤其适合在工业电力控制、电源调节系统等应用中提供可靠的开关功能。
---
### 详细参数说明
| 参数 | 数值 | 单位 | 描述 |
|------------------|------------------------|---------------|----------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | - | 提供良好的散热性能,适合中等功率应用 |
| **配置** | 单通道 N 型 | - | 高效的电力开关,适用于高电压电源管理 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 650 | V | 高电压耐受能力,适合高压电源和电力调节应用 |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±30 | V | 宽栅电压范围,适应不同驱动电路的需求 |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5 | V | 提供较高的阈值电压,有助于提高开关稳定性 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100 | mΩ | 中等导通电阻,适用于功率不太高的应用 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 7 | A | 适用于中等功率的负载开关 |
| **技术类型** | Plannar | - | 使用 Plannar 技术,提供良好的稳定性和可靠性 |
---
### 应用领域和模块示例
1. **高压开关电源(SMPS)**
**SSS6N55-VB** 可用于高压开关电源(SMPS)模块中,适合用于变压器、电源调节器等电源设备。其最大漏源电压为 650V,可以在高电压环境下稳定工作,并且其导通电阻适合高效转换。广泛应用于不间断电源(UPS)、电源转换器等系统中,提供可靠的电源开关控制。
2. **电源管理系统**
该 MOSFET 可在电源管理系统中应用,尤其是在需要高电压支持的电力调节模块和电池管理系统中。**SSS6N55-VB** 的高耐压能力和适中的导通电阻使其适合于电池充电器、电源稳压模块等电源管理应用,能够提高系统的效率并降低功耗。
3. **工业电源模块**
该 MOSFET 可作为工业电源模块的关键组件,在工业控制系统中起到重要作用。例如,作为电动机驱动系统、电动工具电源和设备驱动电路的开关元件。其高电压特性使其能够支持中等功率的电动机驱动负载,确保电力供应的稳定性和可靠性。
4. **逆变器与电力调节器**
在逆变器和电力调节器中,**SSS6N55-VB** 提供了高电压承载能力,可用于直流电转交流电的转换过程中。这类电力转换设备中常常需要较高的耐压能力和稳定的开关性能,SSS6N55-VB 可为逆变器提供理想的开关性能,帮助改善效率。
5. **电动机驱动与控制系统**
该 MOSFET 也适合用于电动机驱动和控制系统中,特别是在工业自动化、电动工具驱动、自动化生产线等场合。其在较高电压下的工作稳定性,可以确保电动机的平稳运行,并且与其他控制模块协同工作以提高整体系统的效率。
6. **功率因数校正电路(PFC)**
在功率因数校正电路中,**SSS6N55-VB** 可用作电源中的开关元件,改善电源的功率因数,减少能源浪费。其高电压能力使其适用于交流电源系统中的功率因数校正(PFC)应用,帮助提高电源系统的效率和稳定性。
总结来说,**SSS6N55-VB** 是一款适用于高电压开关电源、电力管理、工业电源模块、逆变器、电动机控制系统等应用的 MOSFET。它在高电压环境下的稳定性能和较低的导通电阻使其在中等功率负载的开关应用中表现出色,能够提升电力系统的效率并降低能量损耗。
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