--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
SSS5N60-VB 是一款高压N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适合中等功率的高压开关应用。它的最大漏源耐压(VDS)为650V,栅源电压(VGS)承受最大为±30V,能够适应较宽的工作电压范围。该MOSFET的开关电压(Vth)为3.5V,且在栅源电压为10V时,具有较高的导通电阻(RDS(ON) = 2560mΩ)。最大漏极电流(ID)为4A,适合在低至中功率的高压应用中使用。其基于Plannar技术设计,确保了良好的高压稳定性,适用于诸如开关电源、电动机控制和其他电气设备的高压开关操作。
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### 详细参数说明
| 参数 | 规格 | 描述 |
|-----------------|------------------------------------|-------------------------------------------|
| **封装** | TO220F | 适合大功率应用,提供良好的散热性能。 |
| **沟道配置** | 单N沟道 | 采用N沟道配置,适用于高压和高电流应用。 |
| **VDS** | 650V | 漏源最大耐压650V,适用于高压电路。 |
| **VGS** | ±30V | 栅源最大耐压,适合高压驱动电路。 |
| **Vth** | 3.5V | 开启电压,控制MOSFET的开启和关闭。 |
| **RDS(ON)** | 2560mΩ@VGS=10V | 导通电阻相对较高,适合低功率负载。 |
| **ID** | 4A | 最大漏极电流为4A,适合低功率负载。 |
| **技术** | Plannar技术 | 采用平面技术,优化了MOSFET的高压特性。 |
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### 应用领域和模块举例
1. **高压开关电源**
SSS5N60-VB 适用于高压开关电源设计,特别是在650V电压下运行的AC-DC转换器中。这款MOSFET能稳定工作于开关频率较高的电路中,确保电源能够高效、安全地进行功率转换。
2. **电动机驱动**
SSS5N60-VB 适用于低功率的电动机控制应用,如小型电动工具、家用电器等。由于其650V的耐压,它适合用于驱动电动机的控制电路,能够有效控制电动机的启停及速度调节。
3. **家电电源模块**
这款MOSFET也可广泛应用于家电产品中的电源管理模块,尤其是在空调、电冰箱等设备的电源电路中。其在高压环境下能够稳定工作,确保设备能够提供稳定的电源。
4. **工业控制设备**
在工业自动化控制设备中,SSS5N60-VB 常用于高压驱动模块的开关元件,如变频器、伺服驱动系统等。它能够在高压电源系统中实现高效的电流控制和电源调节。
5. **逆变器和光伏应用**
由于其高压特性,SSS5N60-VB 也适用于逆变器和光伏电池系统中。在太阳能发电系统中,这款MOSFET能够有效将直流电转换为交流电,并为电网提供稳定的电力输出。
SSS5N60-VB凭借650V的高压耐受能力和4A的最大漏极电流,适合用于开关电源、电动机驱动、家电电源模块、工业控制设备以及光伏逆变器等多种应用场景。
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