企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SSS4N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SSS4N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**SSS4N60-VB** 是一款 **单 N 型 MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适用于中高压开关应用。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 **650V**,栅源电压(VGS)可承受 **±30V**,开启电压(Vth)为 **3.5V**。它具有较高的耐压能力,非常适合用于需要承受高电压和较小电流的应用场景。MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在 **VGS=10V** 时为 **2560mΩ**,在 **VGS=4.5V** 时为 **2560mΩ**,最大漏极电流(ID)为 **4A**。该型号采用 **Plannar 技术**,可提供较为稳定的性能和良好的电流控制能力,适合用于中等功率的开关电源、负载控制和电源管理等领域。

---

### 参数详细说明

| **参数类别**       | **参数值**               | **说明**                                             |
|--------------------|--------------------------|-----------------------------------------------------|
| **封装类型**       | TO220F                   | **TO220F** 封装,适用于高功率开关应用,散热性能较好。  |
| **极性与配置**     | 单通道 N 型              | 单 N 通道配置,适用于高压电流开关、电源管理等应用。     |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                     | 最大漏源电压为 **650V**,适用于中高压电源开关应用。    |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                     | 栅源电压范围为 **±30V**,适合多种栅电压控制电路。     |
| **开启电压 (Vth)** | 3.5V                     | 在 **3.5V** 的栅电压下开启,适合低电压控制电路。      |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V         | 在 **VGS=10V** 时,具有 **2560mΩ** 的导通电阻。      |
| **连续漏极电流 (ID)** | 4A                       | 最大支持 **4A** 的漏极电流,适合中功率电源应用。       |
| **技术工艺**       | Plannar                  | **Plannar 技术** 提供稳定的性能和适合高压应用的特点。  |

---

### 应用领域及模块举例

1. **开关电源(SMPS)**
  - **SSS4N60-VB** 的高漏源电压(**650V**)和较低的导通电阻使其非常适合用于 **开关电源**(SMPS)应用,尤其是 **高压开关电源**。该 MOSFET 能在电源转换中高效控制电流,保证电源的稳定性和高效性,广泛应用于 **AC-DC 转换器**、**DC-DC 转换器**等设备中。它能够在大电压波动的环境中保持稳定的工作性能。

2. **电源管理与负载控制**
  - **SSS4N60-VB** 由于其 **650V** 的耐压能力和 **4A** 的电流承载能力,适合用于各种 **电源管理系统** 和 **负载控制电路**。在 **UPS 电源**(不间断电源)中,该 MOSFET 可用来进行负载的控制和电源开关。其 **低导通电阻** 可以减少功率损耗,提高系统的效率,广泛应用于 **家电、电动工具** 等中等功率电源管理系统。

3. **电机驱动**
  - 在 **电机驱动** 应用中,尤其是 **工业自动化** 和 **机器人控制** 系统中,**SSS4N60-VB** 能够提供稳定的电流开关控制。其较高的 **VDS** 和 **ID** 能满足 **中等功率电机** 的驱动需求。此 MOSFET 在电动机的开关操作中能有效减少开关损耗,从而提升驱动系统的整体效率和响应速度。

4. **高功率 LED 驱动电源**
  - 由于其 **650V** 的高电压承受能力,**SSS4N60-VB** 适合用于 **高功率 LED 驱动电源**。在 **LED 照明系统** 中,它能够控制和调节电流,从而确保 LED 灯具在不同电源输入条件下的稳定运行。其高压能力保证了在电网波动或瞬间过电压的情况下能够保持工作稳定。

5. **电力变换器**
  - **SSS4N60-VB** 在 **电力变换器**(例如 **DC-AC 逆变器**)中也有广泛应用。它能够在中高压环境下对电能进行高效转换,广泛用于 **太阳能逆变器**、**风能逆变器**等可再生能源领域。在这些应用中,MOSFET 能稳定地进行高频开关操作,确保系统效率的提升,并减少热损失。

6. **高压电源适配器**
  - 由于 **SSS4N60-VB** 的高耐压能力,它可广泛应用于 **高压电源适配器** 中,特别是在需要承受 **高电压** 的 **消费电子产品**(如 **电视机、音响系统、电动工具**)中,作为电源模块的开关元件。其 **低导通电阻** 和稳定性可以提供高效的电流控制,延长电源适配器的使用寿命。

**SSS4N60-VB** 的 **650V** 耐压能力和 **4A** 电流容量使其成为适用于 **高压开关电源、电源管理、负载控制和电机驱动等** 中等功率电路的理想选择,尤其是在需要 **高耐压** 和 **高效电流控制** 的应用中表现出色。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    172浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    155浏览量