--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、SSS4N60A-VB 产品简介
SSS4N60A-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS),适用于中等电压的电源开关和控制应用。其门限电压(Vth)为 3.5V,适合标准的开关控制。该 MOSFET 具有较高的导通电阻 RDS(ON),为 2560mΩ,在 VGS=10V 时,适合功率相对较低的应用。其最大漏极电流为 4A,适用于对电流要求较低的电源管理和驱动电路。SSS4N60A-VB 采用 Plannar 技术,具有稳定的开关性能和较好的温度适应能力,适合在各种工业和家电设备中应用。
---
### 二、SSS4N60A-VB 详细参数说明
| **参数类别** | **参数值** | **说明** |
|-------------------|--------------------------------------------|-----------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | 高功率电源应用的标准封装 |
| **沟道配置** | 单 N 沟道(Single-N-Channel) | 适合单通道的开关控制应用 |
| **最大漏源电压** | 650V | 适合中高电压电源系统的应用 |
| **栅极电压范围** | ±30V | 适用广泛的栅极驱动电压范围 |
| **门限电压 (Vth)**| 3.5V | 适合标准驱动电压的 MOSFET |
| **导通电阻 (RDS(ON))**| 2560mΩ @ VGS=10V | 较高的导通电阻,适合低功率应用 |
| **漏极电流 (ID)** | 4A | 适合中低电流要求的电源应用 |
| **技术类型** | Plannar | 稳定的开关性能,适用于多种应用 |
| **工作温度范围** | -55°C 至 +150°C | 适合多种环境条件下的工作 |
---
### 三、SSS4N60A-VB 应用领域及模块示例
1. **低功率电源开关**
SSS4N60A-VB 适用于低功率电源开关应用,尤其是在中等电压范围内的电源管理系统。它可用于电源适配器、LED 驱动电源以及小型电源变换器中,为系统提供高效、稳定的开关性能。
2. **家电控制模块**
由于其适合于较低电流要求,SSS4N60A-VB 在家电产品中应用广泛,特别是在家用电器(如电冰箱、空调、洗衣机等)中,用于高电压开关、温控器和电动机驱动等模块。
3. **消费电子设备**
在消费电子领域,SSS4N60A-VB 可作为高电压控制元件,应用于电动工具、电动玩具、电池充电器等低功率电子设备中,帮助实现高效的电压转换和开关。
4. **工业控制系统**
该 MOSFET 可在工业控制系统中作为电源开关和电机驱动器,尤其是在一些较小的控制模块和中等电压系统中。其稳定的开关性能和较高的耐压能力使其成为适用于电机控制、自动化系统以及电子负载的理想选择。
5. **小型电动机驱动应用**
SSS4N60A-VB 也适用于小型电动机驱动应用,例如电动工具、风扇和泵类设备。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,可以确保电动机的平稳启动和运行。
6. **轻负载的电池管理系统**
在电池管理和充电系统中,SSS4N60A-VB 可以作为电池充电控制的开关元件。其较高的漏源电压和适中的电流处理能力使其在对电流要求较低的电池管理系统中表现出色。
综上所述,SSS4N60A-VB 是一款适用于中等电压和低电流应用的 MOSFET,广泛应用于电源管理、工业设备、消费电子、家电控制、以及电池管理等多个领域,满足了各种开关控制和电压转换需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12