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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SSS10N60B-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SSS10N60B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**SSS10N60B-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏源电压(VDS)和12A的漏极电流(ID),适合高压电源控制和中等电流驱动应用。该MOSFET的阈值电压(Vth)为3.5V,具备较低的导通电阻,在VGS为10V时RDS(ON)为680mΩ。这款产品采用了Plannar技术,能够在各种高压和高电流应用中提供稳定的开关特性和较低的开关损耗。SSS10N60B-VB广泛应用于电源管理、工业设备、开关电源等领域,提供高效的功率转换和精确的电流控制。

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### 参数说明

| **参数**               | **数值**                    | **说明**                                                                 |
|-------------------------|----------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**            | TO220F                     | 适合高功率应用,具有良好的散热性能,能够承载较高的电流和功率。           |
| **配置**                | 单N沟道                    | 适用于开关电源、负载驱动和功率控制应用,提供高效的电流控制。               |
| **漏源电压(VDS)**     | 650V                       | 高电压应用,适用于电压高达650V的开关电源和电力模块。                    |
| **栅源电压(VGS)**     | ±30V                       | 提供较高的栅极耐压,增强器件的稳定性和可靠性,确保高压工作环境的安全。   |
| **阈值电压(Vth)**     | 3.5V                       | 合适的阈值电压,能够快速响应并进行高效切换。                             |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 680mΩ (@VGS=10V)           | 中等导通电阻,适用于中等功率和电流需求的应用,提供稳定的导电性能。        |
| **漏极电流(ID)**      | 12A                         | 适用于12A电流的负载驱动,满足高电流应用需求。                            |
| **技术**                | Plannar                    | 采用Plannar技术,提供优异的开关特性和热性能,能够在高电压和电流条件下稳定工作。|

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### 适用领域与模块举例

1. **开关电源(Switching Power Supplies)**  
  由于其高耐压(650V)和较低的导通电阻,SSS10N60B-VB非常适合用于开关电源(SMPS)中。它能够在AC-DC转换器、DC-DC转换器及功率因数校正电路中提供高效的电流控制,确保电源系统高效运行并降低能量损失。

2. **电机驱动(Motor Drivers)**  
  在电机驱动应用中,SSS10N60B-VB适合用于中功率电机的驱动。由于其较高的耐压和电流承载能力,该MOSFET可在家电、工业设备和电动工具等中提供高效稳定的电机控制,支持更精确的速度和转矩控制。

3. **电池充电管理(Battery Charging Systems)**  
  该MOSFET在电池充电系统中表现出色,适用于电动工具、电动自行车等设备的充电管理。通过其高耐压和良好的导电性能,它能够高效控制电流和电压,确保充电过程的安全性和高效性,防止过充、过放等问题。

4. **电力转换与功率因数校正(PFC)**  
  在电力因数校正(PFC)电路中,SSS10N60B-VB由于其高VDS和较低的RDS(ON),能够有效进行电力转换并改善功率因数。它广泛应用于电力转换系统、工业电源和家电设备中,优化电能使用,减少能量损耗。

5. **家电应用(Home Appliances)**  
  SSS10N60B-VB在家电中的应用尤为广泛,如空调、电冰箱、洗衣机等。它能够有效驱动家电中的电机、加热元件等,同时具有较低的导通损耗,提升了能效并减少了待机功耗。

6. **汽车电子(Automotive Electronics)**  
  在汽车电子领域,特别是在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统和电机驱动系统中,SSS10N60B-VB能够为高电压电池系统提供电力转换与保护。该MOSFET的高耐压和中等电流承载能力使其在汽车电子模块中成为理想选择。

7. **高效负载开关(Load Switches)**  
  SSS10N60B-VB可以用于高效负载开关电路中,广泛应用于各种家电、工业控制设备、网络设备等。它能够提供低损耗、稳定的负载控制,适用于需要精确电流调节的场景。

8. **功率转换模块(Power Conversion Modules)**  
  在高效能的功率转换模块中,SSS10N60B-VB能够作为高电压电源模块的一部分,提供可靠的电流传输和转换。其高VDS和低导通电阻特性,使其在功率变换器、逆变器和电源模块中表现优异。

综上所述,SSS10N60B-VB适用于多种高压应用,尤其在开关电源、电池充电、电机驱动、功率因数校正、家电和汽车电子领域中,能够提供高效的电流控制和功率转换性能。

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