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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SPA07N65C3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SPA07N65C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

SPA07N65C3-VB 是一款高电压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高功率、高电压的开关电路应用设计。其最大漏源电压(V_DS)为 650V,适用于高压电源转换、工业电力控制、电机驱动等应用领域。该 MOSFET 使用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻(R_DS(ON) = 680mΩ @ V_GS = 10V),能够在最大 12A 的漏极电流下提供稳定、高效的性能,适合用于功率调节、电压转换等场合。其较低的 R_DS(ON) 使得设备在开关过程中具有更小的功率损失,提升了系统的整体效率和稳定性。

### 详细参数说明

- **型号**:SPA07N65C3-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 通道 MOSFET
- **最大漏源电压 (V_DS)**:650V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **开启电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 680mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:12A
- **技术类型**:Plannar

### 应用领域与模块举例

1. **高压电源管理**
  SPA07N65C3-VB 的 650V 漏源电压使其非常适用于高电压电源管理应用,特别是在电力转换器、DC-DC 转换器中。它能够承受高达 650V 的电压,非常适合在电源模块、电力适配器及电池充电器中作为开关元件使用。其低导通电阻确保了高效的能量转换,减少了转换过程中的损耗,提升了电源的效率和稳定性。

2. **工业电机驱动**
  在工业电机驱动系统中,SPA07N65C3-VB 具有理想的高电压耐受能力和较低的导通电阻,可以用作电机控制系统中的关键开关元件。通过精确的开关控制,MOSFET 可以在电机起停、转速控制和方向变化等方面提供快速响应,确保高效的电机控制,广泛应用于工业自动化、机械臂驱动等领域。

3. **电力转换与逆变器**
  由于其高达 650V 的耐压,SPA07N65C3-VB 在功率逆变器中的应用尤为广泛,特别是在太阳能逆变器、风能逆变器和其他可再生能源系统中。MOSFET 在逆变过程中可以高效转换直流电为交流电,并且其较低的导通电阻可以减少热量生成,提高系统的效率。其良好的开关特性使其能够稳定高效地运行在高压环境下。

4. **过电压保护与电源保护电路**
  SPA07N65C3-VB 可以作为过电压保护电路中的关键元件,尤其是在电源系统中。它能够高效地开关电流,保护其他敏感电子元件免受过电压损害。通过在电源输入端或电池充电电路中使用该 MOSFET,可以有效防止过电压情况发生,保护电路免受损害,确保系统的稳定性。

5. **电力转换器与适配器**
  在电力适配器和高效电源转换器中,SPA07N65C3-VB 作为功率开关元件,能够提供稳定的电流调节和高效的电源转换。其低导通电阻确保较少的能量损耗,尤其在低功率或高频工作状态下,能显著提升效率,减少热损耗,延长系统寿命,广泛应用于通讯电源、LED 电源和消费电子产品的电源适配器中。

6. **电池管理系统(BMS)**
  在电池管理系统(BMS)中,SPA07N65C3-VB 可以用于高电压电池组的管理。它能够控制电池充电、放电过程中的电流流动,确保电池在安全电压和电流范围内运行。由于其高电压耐受性,它在新能源汽车和储能系统中的电池管理中扮演着至关重要的角色。

### 总结

SPA07N65C3-VB 是一款高电压耐受的 N 通道 MOSFET,适用于需要承受高电压且要求低导通电阻的应用。其 650V 的耐压、12A 的漏极电流和 Plannar 技术使其非常适合用于电源管理、电机驱动、电力转换器、逆变器等高功率、高电压的系统。该 MOSFET 能提供高效的电流控制和低损耗运行,在工业控制、可再生能源、电池管理等多个领域中都具有广泛的应用潜力。

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