--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SPA07N60C2-VB 产品简介
SPA07N60C2-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压应用。该 MOSFET 具有 650V 的耐压能力,并且支持高达 12A 的漏极电流,非常适合需要高耐压和中等电流的电源管理与功率转换系统。其门阈电压为 3.5V,采用 Plannar 工艺技术,提供良好的导通电阻特性,R_DS(ON) 为 680mΩ(@ V_GS = 10V)。SPA07N60C2-VB 可广泛应用于电力转换、电动机驱动、照明系统及各种功率管理系统中。凭借其稳定的开关性能和低导通损耗,适用于高功率设备的高效能驱动和控制。
### SPA07N60C2-VB 详细参数说明
| **参数** | **数值** |
|-----------------|------------------------|
| **型号** | SPA07N60C2-VB |
| **封装类型** | TO220F |
| **配置** | 单 N 通道 |
| **V_DS** | 650V |
| **V_GS** | ±30V |
| **V_th** | 3.5V |
| **R_DS(ON)** | 680mΩ @ V_GS = 10V |
| **I_D** | 12A |
| **技术** | Plannar |
- **V_DS(漏源电压)**: 650V,适合高电压应用,能够处理大电压的功率转换系统。
- **V_GS(门源电压)**: ±30V,支持广泛的控制信号范围,适合多种电压输入系统。
- **V_th(门阈电压)**: 3.5V,确保良好的开关控制,能够在较低的门电压下开启。
- **R_DS(ON)(导通电阻)**: 680mΩ(@ V_GS = 10V),在高电流操作时具有相对较低的导通损耗。
- **I_D(漏极电流)**: 最大 12A,适用于中等电流需求的应用,支持高效电力传输。
- **技术**: 采用 Plannar 工艺技术,提供稳定的开关性能和较低的导通电阻。
### 适用领域和模块
1. **电源转换与逆变器**
- SPA07N60C2-VB 适用于电源转换系统,特别是在高压直流电源转交流(DC-AC)转换的逆变器中应用。由于其 650V 的耐压能力,它非常适合应用于太阳能逆变器、风力发电系统及其他高功率电子设备中,确保在大功率和高电压环境中稳定工作。
2. **电动机驱动与控制**
- 该 MOSFET 可在电动机驱动系统中用于负载控制和调节。例如,在工业驱动系统、电动工具、电动汽车等领域,SPA07N60C2-VB 能够有效控制电动机的功率流,提供精准的电流控制和开关性能。其高耐压和高电流能力使得它能够稳定地处理电动机启动和运行时的高功率需求。
3. **电力供应与电池管理**
- 在高效能电池管理和电力供应系统中,SPA07N60C2-VB 可用于电池充电控制、功率分配和电流调节。特别适用于需要在高电压环境下高效转换和管理能量的电池管理系统(BMS)。它能够在电池充电和放电过程中提供高效的电流传输,减少损耗并提高整体系统效率。
4. **高功率LED驱动**
- 在 LED 照明系统中,SPA07N60C2-VB 可以作为功率开关元件,用于高效驱动高功率 LED 照明。其低导通电阻和良好的开关性能使其适用于各种照明控制应用,尤其是用于大功率 LED 驱动电源中,可以有效调节电流并减少热量产生,提高整体系统效率。
5. **高电压负载开关与保护**
- SPA07N60C2-VB 适用于高电压负载开关控制和电流保护系统。其 650V 的耐压能力使其在处理较高电压的负载开关时表现出色。可以用于电力设施、电气设备和高压开关设备的电流保护电路中,确保在过载或电流反向时的电路保护。
6. **工业与汽车电子**
- 在工业自动化和汽车电子系统中,SPA07N60C2-VB 可用于功率调节、逆变器控制及电池管理等。其高电压耐受能力使其在电动汽车、电动工具以及工业控制系统中表现尤为突出。特别适合需要高效开关操作并能承受大电流和高电压的系统。
7. **电力电子控制模块**
- 在大功率电力电子控制模块中,SPA07N60C2-VB 作为关键的开关元件用于电流调节、功率控制和电压转换。其稳定的性能和低损耗特性使其在高频率、高电流的控制模块中发挥重要作用,广泛应用于工业、汽车、能源及电力系统中。
### 总结
SPA07N60C2-VB 是一款高耐压 N 通道 MOSFET,具有 650V 的漏源电压、12A 的漏极电流和 680mΩ 的低导通电阻,适用于电力转换、电动机驱动、电池管理及各种高功率应用。采用 Plannar 工艺技术,它能够在高电压和高电流的环境下稳定工作,广泛应用于太阳能逆变器、电动工具、电动汽车、工业控制和电力电子模块等领域。无论是功率调节、电流控制,还是电压转换,SPA07N60C2-VB 都能提供卓越的性能和高效的功率管理。
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