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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SPA04N50C3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SPA04N50C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SPA04N50C3-VB MOSFET 详尽产品信息

#### **产品简介**

SPA04N50C3-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,具有较高的耐压特性(最大 650V),非常适合用于高电压电源开关、负载控制、逆变器以及功率管理等应用。该型号采用了传统的 Plannar 技术,具备较低的导通电阻(830mΩ@V_GS = 10V)和较高的电流承载能力(10A),在高电压和大电流环境下具有良好的性能稳定性。其门阈电压为 3.5V,支持宽范围的栅源电压(±30V),适用于各种电源控制和功率转换场合。

#### **产品参数说明**

- **封装类型**:TO220F  
 TO220F 封装适用于表面贴装(SMT)和穿孔安装(Through-hole)应用,具有良好的散热性能,适合较高功率的开关应用。

- **配置**:单 N 通道  
 该 MOSFET 采用 N 通道配置,适用于大多数电源开关和负载控制应用。

- **V_DS(漏源电压)**:650V  
 最大漏源电压为 650V,适用于中高压电源控制系统,能够处理较高电压的开关负载,广泛应用于电力设备、逆变器、电源供应等高电压场合。

- **V_GS(栅源电压)**:±30V  
 栅源电压最大为 ±30V,支持常见的栅极驱动电压,确保与控制电路兼容。

- **V_th(门阈电压)**:3.5V  
 门阈电压为 3.5V,确保较低的开通电压,提高了效率并减少了低压时的功率损失。

- **R_DS(ON)(导通电阻)**:830mΩ@V_GS = 10V  
 导通电阻为 830mΩ,这意味着即使在高电流条件下,功率损耗和热量产生都得到有效控制。

- **I_D(漏极电流)**:10A  
 最大漏极电流为 10A,适用于中等功率的应用。

- **技术类型**:Plannar  
 采用 Plannar 技术,具有较为成熟的生产工艺和稳定的性能,适合长时间的高压工作。

#### **应用领域和模块示例**

1. **电源供应系统(Power Supplies)**  
  SPA04N50C3-VB 具有较高的耐压能力(650V),因此非常适合用于 AC-DC 电源供应、DC-DC 转换器及其它电源管理系统。其低导通电阻确保电源转换效率高,并且在高负载电流下能够保持稳定工作。

  **示例**:在不间断电源(UPS)系统中,SPA04N50C3-VB 可用于输入电压的开关,帮助实现稳定的电力供应和负载切换。由于其较低的导通电阻,它可以提高 UPS 系统的效率,减少能量损耗。

2. **逆变器系统(Inverters)**  
  SPA04N50C3-VB 的 650V 漏源电压使其成为逆变器(如太阳能逆变器)的理想选择。它能够承受高压,同时具备较高的电流承载能力,适合于大功率逆变器中实现直流到交流电的转换。

  **示例**:在太阳能发电系统中,SPA04N50C3-VB 可用于逆变器的开关元件,负责将太阳能板产生的直流电转变为交流电,从而供给家庭或工业用途。由于其高电压耐受性,确保逆变器在不同负载条件下的稳定运行。

3. **电机驱动与控制系统(Motor Drives)**  
  该 MOSFET 在电机驱动系统中也有广泛应用,特别是对于需要高电压和大电流的工业电机驱动系统。其高耐压和低导通电阻可以有效减少电机控制系统中的功率损耗,提升效率。

  **示例**:在工业自动化系统中的电机驱动电路中,SPA04N50C3-VB 可用作开关元件,调节电机的电流流动,优化电机运行效率,并确保系统在高电压和大电流下可靠运行。

4. **电池管理系统(Battery Management Systems,BMS)**  
  由于其较高的耐压和电流承载能力,SPA04N50C3-VB 可广泛应用于电池管理系统,特别是用于高电压电池组的充放电控制、平衡电路和电池保护系统。

  **示例**:在电动汽车(EV)或储能系统中,SPA04N50C3-VB 可作为 BMS 系统中的开关元件,帮助控制充电过程中的电压和电流,确保电池充放电过程的安全和高效。

5. **电源转换与调节(Power Conversion and Regulation)**  
  SPA04N50C3-VB 的低导通电阻和较高的电流承载能力使其非常适合用于各种电源调节和转换模块中,包括变频器、整流器和稳压器等电源系统。

  **示例**:在工业电源调节器中,SPA04N50C3-VB 可作为功率开关器件,帮助调节电压和电流,提供稳定的电力输出,满足高电压负载的需求。

6. **高功率开关控制(High Power Switching Control)**  
  SPA04N50C3-VB 可用于需要高功率开关控制的场合,特别是在电力电子、汽车和航天等高功率应用中,确保系统的高效与稳定。

  **示例**:在电力传输和配电系统中,SPA04N50C3-VB 可作为开关元件,调节电力流向,确保电力供应的高效与稳定。

### 总结

SPA04N50C3-VB 是一款具有高电压承受能力(650V)和较低导通电阻(830mΩ)的单 N 通道 MOSFET,适用于高功率电源开关、逆变器、电机控制、BMS 系统等多个应用领域。其高电流承载能力和可靠的开关特性,使其成为大电流和高电压环境中的理想选择。在电力管理和功率转换模块中,SPA04N50C3-VB 的应用将大大提高效率并降低功耗,是各种高压电子系统中的关键元件。

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