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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SPA03N60C3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SPA03N60C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SPA03N60C3-VB MOSFET 产品简介

SPA03N60C3-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,适用于高电压和高电流应用,最大漏源电压为 650V。其栅源电压(VGS)范围为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,使其在高效能电源管理系统中表现出色。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(VGS = 10V),能够承受高达 7A 的最大漏电流(ID)。SPA03N60C3-VB 使用了 Plannar 技术,提供较高的电流控制能力和较低的导通损耗,适合高效开关、电源转换和电流保护等应用。

### SPA03N60C3-VB MOSFET 参数说明

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar

#### 主要特性:
- **高电压耐受**: 最大漏源电压 650V,适用于高压电源和负载开关应用。
- **低导通电阻**: RDS(ON) 为 1100mΩ,能够有效减少导通损耗,提升工作效率。
- **高电流能力**: 最大漏电流 7A,适合中等功率的电源转换和电流切换应用。
- **高效能**: 使用 Plannar 技术,具有较高的开关频率和良好的热性能,适用于要求低功耗和高效转换的场合。

### SPA03N60C3-VB MOSFET 应用领域

1. **电源管理系统**:
  - SPA03N60C3-VB 可应用于各种电源管理系统中,包括电源供应器、稳压器和电池管理系统。在这些系统中,MOSFET 负责控制电流的开关,确保电源稳定输出并提高整体效率。其高电压耐受能力使其非常适用于工业和高功率电子设备的电源管理。

2. **DC-DC 转换器**:
  - 在 DC-DC 转换器应用中,SPA03N60C3-VB 作为开关元件,可以在高效电源转换过程中有效控制电流流向和电压调节。其低导通电阻特性能够降低开关损耗,提供高效的能量转换,尤其适用于需要高压耐受的电源转换应用。

3. **电动工具和电池驱动设备**:
  - 在电动工具和电池驱动设备中,SPA03N60C3-VB 可以作为电流开关元件,调节电池的充放电过程。其较高的漏电流能力使其适合处理较高功率的电池驱动系统,确保电池电流的稳定性和安全性。

4. **逆变器应用**:
  - 在太阳能逆变器或其他逆变器系统中,SPA03N60C3-VB 可用于高效的电流开关和电压调节。其高电压耐受特性和良好的开关性能使其非常适合用于这种需要高效转换和稳定输出的应用。

5. **负载开关与电流保护**:
  - 该 MOSFET 也可用于负载开关和电流保护电路。它能够在电流过载或电压异常时提供自动断开,防止设备受损。其高电流能力和耐高压能力,使其适合在工业控制和保护电路中使用。

6. **高功率开关电源**:
  - SPA03N60C3-VB 特别适合用于高功率开关电源中,作为主开关控制器或辅助开关器件。其高耐压和高电流能力可确保在高功率应用中有效控制电流流向,并保持较低的损耗和稳定的工作效率。

### 总结

SPA03N60C3-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,具有高电压耐受能力和较低的导通电阻,适用于多种电源管理和电流切换应用。凭借其耐高压的特性、低导通损耗和高效开关性能,它广泛应用于电源管理、电动工具、逆变器、电池管理系统等领域,是现代电源系统中的理想选择。

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