企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SMN0665FD-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SMN0665FD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**SMN0665FD-VB** 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**,封装类型为 **TO220F**,具有 **650V** 的漏源电压(VDS)和 **4A** 的最大漏极电流(ID)。该 MOSFET 采用 **Plannar 技术**,具备高电压耐受性和较好的热稳定性,适用于要求高耐压和中等电流处理的电力管理系统。该型号的栅源电压(VGS)最大为 **±30V**,具有 **3.5V** 的阈值电压(Vth),确保在较低的栅极驱动电压下能够顺利导通。

其导通电阻(RDS(ON))在 **VGS=10V** 时为 **2560mΩ**,适合中低功率应用。由于其较高的导通电阻,这款 MOSFET 更适合用于较低电流要求的应用,或者作为高电压、低电流应用中的开关元件。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单 N 沟道  
- **漏源电压(VDS)**:650V  
- **栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 在 **VGS=10V** 时:2560mΩ  
- **漏极电流(ID)**:4A  
- **最大功率耗散**:根据散热设计(具体参考 datasheet)  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **技术**:Plannar  
- **最大栅电压**:±30V

### 应用领域及模块举例

1. **电源管理与转换**  
  **SMN0665FD-VB** 适用于 **电源管理系统**,尤其是在中高电压电源转换器中。它能够处理 **650V** 的高电压,适合用作 **AC-DC 电源转换器** 和 **DC-DC 转换器** 中的开关元件。由于其导通电阻相对较高,它适合用于电流较小或间歇性工作的应用。

2. **电动工具与家电电源控制**  
  在一些 **家电产品** 或 **电动工具** 中,**SMN0665FD-VB** 可用于 **开关电源** 或 **电池管理系统** 中。比如,在 **电动工具充电器** 中,该 MOSFET 可以帮助实现电流切换和高电压保护,确保系统在安全范围内高效工作。

3. **工业自动化与低功率驱动系统**  
  **SMN0665FD-VB** 在 **工业自动化** 系统中的应用包括 **变频器** 或 **小型电动机驱动器**。它可以在低功率电机驱动和控制系统中充当高压开关元件,尤其适用于负载较轻且电压较高的电源系统。

4. **太阳能逆变器**  
  由于该 MOSFET 的 **650V** 漏源电压,它可以用于 **太阳能逆变器** 的电力转换部分。它能够高效地处理来自太阳能电池板的高电压,同时确保可靠的电流开关和管理,适用于小型到中型太阳能发电系统。

5. **UPS(不间断电源)系统**  
  在 **UPS 电源系统** 中,SMN0665FD-VB 被用于电源转换单元,帮助确保电力系统在停电时提供稳定的电压和电流输出。其 **650V** 的高耐压能力使其适用于 UPS 系统的高电压开关,尤其是在中小型 UPS 单元中。

6. **电池管理系统(BMS)**  
  在 **电池管理系统(BMS)** 中,SMN0665FD-VB 适用于监控电池的充电和放电过程。其 **4A** 的电流能力使其非常适合应用于较小容量的电池组,例如便携式设备或小型电池储能系统的管理。

### 总结

**SMN0665FD-VB** 是一款耐高压(**650V**)的单 N 沟道 MOSFET,适用于多个高电压电力管理应用。凭借其 **Plannar 技术**,它在低至中电流的高电压应用中表现出色,能够有效地转换和控制电力,减少能量损耗。其导通电阻为 **2560mΩ**,适合于低至中等功率应用,特别是用于电源转换、电动工具、工业自动化及 UPS 等系统中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    152浏览量