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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SMK830FC-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SMK830FC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SMK830FC-VB MOSFET 产品简介

SMK830FC-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS)和 7A 的最大漏电流(ID)。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 时),适合用于中高电压电源转换、开关电源(SMPS)、工业电源系统及其他需要高压、大电流开关应用的场合。采用 Plannar 技术,SMK830FC-VB 提供了高可靠性和稳定性,适合在高压和高功率环境中使用,广泛应用于电动机驱动、电力转换、能源管理等系统。

### SMK830FC-VB MOSFET 参数说明

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 10V: 1100mΩ
- **最大漏电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar

#### 主要特性:
- **高耐压**: 最大 650V 的漏源电压适合高压开关应用。
- **中等导通电阻**: 导通电阻为 1100mΩ,在 VGS = 10V 时,适合一些中等功率的电源开关应用。
- **稳定的工作特性**: 采用 Plannar 技术,提高了 MOSFET 的可靠性与稳定性,适用于高功率应用。
- **较高的漏电流承载能力**: 最大漏电流为 7A,适合用于一般功率需求的应用。

### SMK830FC-VB MOSFET 应用领域

1. **开关电源(SMPS)**:
  - SMK830FC-VB 的最大漏源电压为 650V,非常适用于高电压的开关电源系统。在电源转换中,该 MOSFET 可用作高效的开关元件,确保电能的高效转换,并具有较低的开关损耗。

2. **电动机控制系统**:
  - 在工业和家电电动机控制系统中,SMK830FC-VB 具有足够的电流承载能力,能够有效地驱动和控制电动机,特别是在需要较高电压和稳定电流的环境中,如电动工具、空调和其他电动设备。

3. **逆变器(Inverter)**:
  - 在太阳能逆变器和电力逆变器中,SMK830FC-VB 可以用于将直流电转换为交流电。由于其高耐压特性,它能够在高电压环境下可靠运行,适合应用于新能源、可再生能源以及储能系统中。

4. **工业电源和电力转换系统**:
  - SMK830FC-VB 广泛适用于工业电源系统、电力转换模块和电源适配器等应用。它能够在高电压环境下高效地控制功率流动,满足工业和电力设备的需求,保证系统的高效与安全运行。

5. **电池管理系统(BMS)**:
  - SMK830FC-VB 可用于高压电池管理系统,特别是在电动汽车(EV)和大功率储能系统中。其高耐压能力使其能够在充放电管理过程中稳定工作,确保电池组的安全和效率。

6. **照明和电源控制**:
  - 在大型照明系统和电源控制系统中,SMK830FC-VB 可作为开关元件,用于调节电源电压和电流,特别是在需要较高功率控制的场合,确保电源系统的稳定和高效运行。

### 总结

SMK830FC-VB 是一款具有 650V 最大漏源电压和 7A 最大漏电流的单 N 通道 MOSFET,适用于中高电压的电源转换和开关应用。其 TO220F 封装和 Plannar 技术使其能够提供可靠的高压开关性能,广泛应用于开关电源、电动机控制、逆变器、工业电源和电池管理等领域。尽管导通电阻为 1100mΩ,SMK830FC-VB 依然能够满足中等功率需求的应用,提供高效的电源管理解决方案。

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