--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SMK830F-1-VB MOSFET 产品简介
SMK830F-1-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高压应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)可达 ±30V,门槛电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 时),最大漏极电流(ID)为 7A。SMK830F-1-VB 使用 Plannar 技术制造,能够提供稳定、高效的开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、高功率转换和逆变器等多个领域。
### SMK830F-1-VB MOSFET 参数说明
| **参数** | **值** |
|-----------------------------------|-------------------------|
| **封装** | TO220F |
| **配置** | 单 N 通道 (Single N-Channel) |
| **漏源电压(VDS)** | 650V |
| **栅源电压(VGS)** | ±30V |
| **门槛电压(Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 1100mΩ |
| **最大漏极电流(ID)** | 7A |
| **技术** | Plannar |
### 适用领域和模块
1. **高压电源管理系统**
SMK830F-1-VB 适用于高电压电源管理系统,尤其是在 DC-DC 转换器、电力放大器和高效电源模块中。其 650V 的最大漏源电压耐受能力,使其非常适用于高电压电源系统中的开关应用,能够在转换过程中有效控制电流,提供稳定的输出电压。特别是在需要较高电压转换和稳压的场景下,该 MOSFET 能够高效运作,减少能量损失。
2. **电机驱动与控制**
在工业和家电电机驱动系统中,SMK830F-1-VB 可用作功率开关,帮助调节电机电流并提高系统效率。其高电压耐受能力使其非常适用于高功率电机驱动应用,特别是在电动工具、电动泵和空调等设备中。MOSFET 的高效开关特性可减少热量生成,确保电机驱动系统的稳定运行。
3. **逆变器与电力转换**
SMK830F-1-VB 适合应用于逆变器中,特别是用于将直流电(DC)转换为交流电(AC)的场合。该 MOSFET 能够承受高电压并在开关过程中保持低导通电阻,从而实现高效的电力转换。在太阳能逆变器、电力电子设备及风力发电系统中,SMK830F-1-VB 可确保能源转换的高效性,减少损耗,提高系统效率。
4. **不间断电源(UPS)系统**
在 UPS 系统中,SMK830F-1-VB 用作电池管理和电能转换的关键组件。其优异的开关性能能够有效控制电池充电与放电过程,保障 UPS 在电力中断时的稳定运行。特别是在高功率UPS系统中,SMK830F-1-VB 通过提供低导通电阻的高效开关控制,提高了系统的可靠性与效率。
5. **电动汽车充电系统**
在电动汽车充电模块中,SMK830F-1-VB 作为功率开关,用于调节充电电流并确保充电过程的稳定性。电动汽车充电时需要较高的电压和电流,SMK830F-1-VB 具有良好的高电压耐受能力,非常适合用于电池充电管理系统。它可以确保电动汽车充电过程中的高效能量转换和安全稳定的充电控制。
6. **家电与消费电子**
SMK830F-1-VB 可用于高功率家电的电源控制模块,如空调、冰箱、电磁炉等。这些家电设备中常常需要较高的电压处理能力和高效的电流控制,SMK830F-1-VB 的高电压耐受性和低导通电阻使其能够满足这些需求。尤其在智能家居设备的电源管理模块中,SMK830F-1-VB 提供了稳定且高效的电力转换。
### 总结
SMK830F-1-VB 是一款具有 650V 耐压、7A 最大漏极电流和 1100mΩ 导通电阻的单 N 通道 MOSFET。采用 Plannar 技术,它适用于高压电源管理、电机驱动、电力转换、逆变器和电动汽车充电系统等多个高功率应用场合。凭借其优异的电气性能,SMK830F-1-VB 能够在高电压环境中高效运行,广泛应用于工业、家电、能源等多个领域。
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