--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SMK1265FD-VB MOSFET 产品简介
SMK1265FD-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压和中等电流的开关应用。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,栅极-源极电压(VGS)可承受 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,适用于高压电源、功率转换、电动机控制以及逆变器等系统中。其导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ,在 VGS = 10V 时,能够提供较为稳定的电流控制。采用 Plannar 技术,这款 MOSFET 具备较高的可靠性和稳定性,适合在高电压和较高电流的环境中使用,满足工业和能源领域的要求。
### SMK1265FD-VB MOSFET 参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V: 680mΩ
- **最大漏电流 (ID)**: 12A
- **技术**: Plannar
#### 主要特性:
- **高耐压**: SMK1265FD-VB 的最大漏源电压为 650V,适用于高压开关场合。
- **适中的导通电阻**: 在 VGS = 10V 时,导通电阻为 680mΩ,适合一些中等功率的开关应用。
- **高电流承载能力**: 最大漏电流为 12A,可用于需要较大电流的应用。
- **Plannar 技术**: 采用 Plannar 技术,提供较高的可靠性和稳定性,特别适合高电压、大电流工作环境。
### SMK1265FD-VB MOSFET 应用领域
1. **电源管理与开关电源 (SMPS)**:
- SMK1265FD-VB 具有高达 650V 的耐压能力,非常适合用于开关电源(SMPS)中。在这些应用中,MOSFET 可以作为高压功率开关元件,用于电压调节和电流控制,确保系统的高效和稳定运行。
2. **逆变器 (Inverters)**:
- SMK1265FD-VB 在太阳能逆变器、电力逆变器等应用中具有重要作用。它能够承受 650V 的高电压,非常适合用于将直流电转换为交流电的高压逆变器系统,广泛应用于可再生能源发电、电动汽车驱动和 UPS 系统中。
3. **电动机控制系统**:
- 在电动机控制系统中,SMK1265FD-VB 可用作高电压开关元件,控制电动机的启动、停止及运行速度。它能够处理电动机驱动中的高电压及较大电流,适用于工业电动机、电动工具及家电中的电机控制应用。
4. **工业电源系统**:
- SMK1265FD-VB 的 650V 耐压使其在工业电源系统中得到了广泛应用。它适用于各种工业设备的电源模块,包括功率变换器、电源适配器及其他大功率电气设备,保证系统稳定工作并提高能效。
5. **电池管理系统 (BMS)**:
- 该 MOSFET 还可应用于高压电池管理系统(BMS),用于对电池组进行充放电管理。由于其高耐压能力,SMK1265FD-VB 特别适用于电动汽车(EV)、储能系统和其他高功率电池系统。
6. **高功率电气设备**:
- 在高功率电气设备中,SMK1265FD-VB 能够有效地控制和调节高电压电流的流动,适合用于电力变换、功率调节和其他大功率电子设备。它能够提供精确的电流控制和开关管理,保障系统安全可靠运行。
7. **家电电源管理**:
- 在一些家电电源管理系统中,SMK1265FD-VB 作为开关元件能够有效地调节电源的电压与电流。其高耐压能力使其适用于家电产品中的电源模块和电流调节部分。
### 总结
SMK1265FD-VB 是一款具有 650V 高耐压、12A 电流承载能力的单 N 通道 MOSFET,适用于高电压、大电流的开关应用。其 TO220F 封装和 Plannar 技术确保了可靠性与稳定性,使其成为在逆变器、电源管理、工业电源、电动机控制等领域的理想选择。虽然导通电阻为 680mΩ,SMK1265FD-VB 依然在中等功率的电源系统中提供出色的性能,确保高效的能量转换与管理。
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