企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SMK0760F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SMK0760F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SMK0760F-VB MOSFET 详尽产品信息

#### **产品简介**

SMK0760F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,专为中高电压、高功率开关应用设计。其 650V 的漏源电压(V_DS)和 7A 的最大漏极电流(I_D),使其适用于电力管理、电源开关、逆变器以及其他需要较高电压和电流承载能力的应用。该产品采用 Plannar 技术,具有稳定的性能和较高的耐用性,适合于工业和能源领域中的高效开关控制,尤其是高电压和中等电流负载场景。

#### **产品参数说明**

- **封装类型**:TO220F,提供良好的热管理和易于散热的特性。TO220F 封装适用于中等功率及以上的应用,能够在高功率工作环境下有效地降低温升。

- **配置**:单 N 通道 MOSFET,适用于开关电路,负载控制以及电源管理。N 通道配置通常提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力,适用于正向电流流动的应用。

- **V_DS(漏源电压)**:650V,适合用于中高电压的电力管理系统和开关电源。650V 的额定电压允许其在较高电压的工作环境下保持稳定的开关性能,尤其适用于电力转换、逆变器和电池充电应用。

- **V_GS(栅源电压)**:±30V,适用于多种控制电压方案,能够实现较宽的栅极电压范围,适配不同的驱动电压需求。

- **V_th(门阈电压)**:3.5V,较高的门阈电压确保 MOSFET 在适当的栅源电压下开启,防止误触发或不稳定工作。

- **R_DS(ON)(导通电阻)**:  
 - 1100mΩ @ V_GS = 10V  
 较高的导通电阻适合中等功率应用,但对于大功率和低电流应用,其性能相对适中,能够实现足够的功率损耗控制。

- **I_D(漏极电流)**:7A,适用于中电流负载开关,能够提供稳健的电流承载能力,在电源和负载切换中表现出色。

- **技术类型**:Plannar 技术,具有稳定的性能,适合长期高电压工作环境,提供可靠的工作表现。

#### **应用领域和模块示例**

1. **电源管理系统**
  SMK0760F-VB 适用于电源管理系统中的高压开关控制,尤其是电力转换器、稳压器和电池管理系统。其较高的电压承载能力使其适用于电源模块中的主开关,确保稳定的电源转换和电压调节。

  **示例**:在一个 DC-DC 转换器中,SMK0760F-VB 可以用作主开关,帮助实现高效的电压转换,支持大功率负载的稳定供电。

2. **逆变器和变频器**
  由于其高漏源电压和较大的漏极电流,SMK0760F-VB 适用于逆变器和变频器等高功率应用。在这些设备中,MOSFET 用作功率开关元件,控制电流的流动,实现直流到交流的转换。

  **示例**:在太阳能逆变器中,SMK0760F-VB 可以用作功率开关元件,优化能量转换效率,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或工业使用。

3. **电池充电器**
  SMK0760F-VB 也适用于电池充电器中,特别是大功率电池充电设备。其高电压承载能力和较好的导通性能确保充电过程中的高效电流控制,能够在多个电池充电场景中应用。

  **示例**:在电动汽车或电动工具的充电器中,SMK0760F-VB 可以用于控制充电电流,并提供高效稳定的充电过程,确保电池在充电过程中不受过热或过流影响。

4. **电力驱动系统**
  在工业电力驱动系统中,SMK0760F-VB 可作为中电流负载的开关元件。其高漏源电压和电流承载能力使其能够稳定工作在各种高电压和电流负载的电力驱动系统中,尤其适用于电动机控制和电力转化系统。

  **示例**:在大功率电机驱动器中,SMK0760F-VB 可用于电动机控制电路的开关元件,控制电流流动并优化电动机的启动、停止和运行过程。

5. **高压电力系统**
  SMK0760F-VB 的高电压耐受能力使其特别适用于高压电力系统中的开关操作,能够承受复杂电力环境中的高电压负载。

  **示例**:在电力配电设备、智能电网或高压直流(HVDC)系统中,SMK0760F-VB 可作为电流开关元件,帮助控制电能的有效分配和管理。

6. **家电控制模块**
  SMK0760F-VB 还可用于家电控制系统中,尤其是在需要高电压控制的小型电器和家电设备中,提供可靠的电流开关和保护功能。

  **示例**:在空调、冰箱和微波炉等家用电器中,SMK0760F-VB 可以用作功率开关,帮助调节设备的电源输入并确保高效运行。

### 总结

SMK0760F-VB 是一款高电压、高电流承载的单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于中高电压电力管理、电源转换、逆变器、充电器等多个领域。其 650V 的漏源电压和 7A 的电流承载能力,使其在高电压和中等功率的应用中表现出色。无论是在电力驱动系统、电源管理、还是家电控制模块中,SMK0760F-VB 都能提供稳定、高效的开关控制,是高效电能转换和管理的重要组件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    162浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    143浏览量