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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SMK0465FJ-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SMK0465FJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

SMK0465FJ-VB 是一款单极 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压开关和功率控制应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 650V,栅源电压(V_GS)最大为 ±30V,开启电压(V_th)为 3.5V,最大漏极电流(I_D)为 4A。SMK0465FJ-VB 采用了 Plannar 技术,具有较高的耐压能力和可靠性,适合在高电压环境中进行功率开关操作。其导通电阻(R_DS(ON))为 2560mΩ @ V_GS = 10V,适合对功率损耗要求较低的应用。

### 详细参数说明

- **型号**:SMK0465FJ-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道 MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:650V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **开启电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 2560mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:4A
- **技术类型**:Plannar

### 应用领域与模块举例

SMK0465FJ-VB 适用于高压功率开关、工业控制和电源管理等领域。其高耐压和适中的导通电阻使其在多种需要高耐压和稳定性的应用中表现出色。以下是该 MOSFET 的典型应用场景:

1. **高压电源开关**  
  SMK0465FJ-VB 可用作高压电源开关元件,特别适合用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等电源模块中。其最大 650V 的漏源电压使其能够承受较高的输入电压,适用于工业电源、通信设备的电源模块,或需要高效电力转换的电气设备。

2. **电动机驱动与控制**  
  在电动机驱动系统中,SMK0465FJ-VB 可作为功率开关元件,用于电机控制电路中。在高压直流电动机或交流电动机的驱动应用中,它能够确保电动机的启动、停止、转速调节和反向操作,尤其在工业自动化和电动工具等设备中具有广泛应用。

3. **逆变器和不间断电源(UPS)**  
  逆变器和 UPS 系统需要高耐压、高可靠性的开关元件,SMK0465FJ-VB 能够在这些高电压环境下有效工作。它的高漏源电压使其适合于太阳能逆变器、电动汽车充电站的电力转换、以及各种备份电源系统中,确保设备在断电时稳定运行。

4. **LED 驱动电路**  
  在需要高电压控制的 LED 驱动电路中,SMK0465FJ-VB 可作为主开关元件,提供高效的电力传输和低功率损耗。适用于工业照明、商业照明及室外照明系统等。其较高的耐压能力可以应对大电流和高电压的驱动需求。

5. **功率放大器与射频应用**  
  SMK0465FJ-VB 适用于功率放大器和射频开关应用,尤其在一些需要稳定、高压操作的射频设备中。由于其高耐压和良好的开关特性,这款 MOSFET 可用于基站、雷达系统等通讯领域中的功率控制和射频开关。

6. **汽车电子与电池管理**  
  SMK0465FJ-VB 还可用于汽车电池管理系统(BMS)和电池供电的电动汽车系统中,管理电池的充放电过程,确保系统的高效能和可靠性。其耐压和稳定性使其在高压电池管理系统中表现优越,尤其是在电动汽车或电动工具等设备中。

### 总结

SMK0465FJ-VB 是一款高压、低电流的 N 通道 MOSFET,具有较高的耐压能力和可靠性,适合用于高电压电源开关、电动机驱动、逆变器、LED 驱动、射频放大器以及汽车电子等领域。通过采用 Plannar 技术,该 MOSFET 在高电压、高频环境中表现出色,能够有效提升功率转换效率和稳定性,适用于需要高效开关和功率控制的应用。

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