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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SM6A22NSFP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SM6A22NSFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SM6A22NSFP-VB MOSFET 产品简介

SM6A22NSFP-VB 是一款单极性 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压和高功率应用。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,最大栅源电压(VGS)为 ±30V,门槛电压(Vth)为 3.5V。SM6A22NSFP-VB 具有较高的导通电阻(RDS(ON) = 1100mΩ@VGS=10V),适合中低功率应用,在高电压环境中提供稳定的开关特性。其采用平面技术(Plannar),能在高电压和中等电流条件下运行,广泛应用于开关电源、逆变器、以及其他高电压电力转换系统。

### SM6A22NSFP-VB MOSFET 参数说明

| **参数**                  | **值**             |
|------------------------|--------------------|
| **封装**                  | TO220F             |
| **配置**                  | 单极 N 沟道 (Single N-Channel) |
| **漏极-源极电压(VDS)**     | 650V               |
| **栅源电压(VGS)**         | ±30V               |
| **门槛电压(Vth)**        | 3.5V               |
| **导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V** | 1100mΩ             |
| **最大漏极电流(ID)**     | 7A                 |
| **技术**                   | Plannar            |

### 适用领域和模块

1. **高压电源管理系统**  
  SM6A22NSFP-VB 适用于需要高电压电源的应用场合,例如高压开关电源(SMPS)、电源适配器以及其他电力转换模块。在这些应用中,MOSFET 能够在 650V 的高电压下稳定运行,提供有效的电流控制和功率转换。尽管其导通电阻相对较高,但适用于中等功率的高效电源管理,尤其是在要求高电压耐受能力的场合。

2. **逆变器和电机驱动**  
  由于其高耐压特性,SM6A22NSFP-VB 适用于光伏逆变器、风力发电逆变器以及其他电力逆变器系统。在这些系统中,MOSFET 可以作为开关元件进行高效的直流(DC)至交流(AC)转换。该 MOSFET 的高电压承受能力使其在高压输入条件下依然能够保证高效转换,广泛应用于可再生能源领域。

3. **工业自动化和控制系统**  
  在工业自动化应用中,SM6A22NSFP-VB 可用于各种驱动和控制系统中,尤其是在电机控制、电力调节和负载驱动模块中。它能够高效地控制电机启动和调速过程,同时保障电流控制的稳定性。其较高的漏极电压和中等电流承载能力非常适合于工业系统中的中等功率要求。

4. **功率放大器和音响系统**  
  该 MOSFET 由于能够在高电压下稳定工作,因此也适用于需要大功率输出的应用,如音响功率放大器和高功率射频(RF)应用。在音响系统中,SM6A22NSFP-VB 可以用作开关元件,在提供高效功率放大的同时,确保系统稳定运行。

5. **电力传输和保护电路**  
  在电力传输系统和电池保护电路中,SM6A22NSFP-VB MOSFET 可用于过流保护、过电压保护和高电流控制等关键环节。该 MOSFET 的高电压耐受特性使其能够应对极端工作条件,确保系统的安全运行,特别是在高电压、低功率负载的情况下。

通过这些应用,SM6A22NSFP-VB MOSFET 提供了一个理想的解决方案,适用于需要高电压操作、适中电流承载能力的领域,尤其是在电力管理和转换系统中表现突出。

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