--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**SM6A12NSFP-VB** 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道 MOSFET,具有高达 650V 的漏源电压(VDS),适用于需要高压电源控制的应用。该 MOSFET 的栅源电压(VGS)为 ±30V,支持更广泛的工作条件。其导通电阻(RDS(ON))为 2560mΩ,在 VGS=10V 时,能够提供较低的功率损耗,适合中低功率的高压应用。该 MOSFET 的最大漏极电流为 4A,并采用 Planar 技术,这使得其具有稳定的电流承载能力和较好的热稳定性,广泛应用于各种电力电子设备中,如电源管理、照明控制和逆变器等领域。
### 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 10V 时:2560mΩ
- **漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Planar 技术
- **最大功率耗散**:根据实际工作条件
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关速度**:标准开关特性,适合低频率应用
### 应用领域及模块举例
1. **电源管理系统**
SM6A12NSFP-VB 适用于高压电源管理系统,尤其在高压直流电源转换器、AC-DC 电源适配器等应用中,能够高效地控制电流并实现功率转换。其650V的高电压耐受能力使其能够在工业电源或家电电源中广泛使用,提供稳定的电流开关功能。
2. **逆变器**
在太阳能逆变器和风力发电逆变器中,SM6A12NSFP-VB 可用作功率开关元件。它的高压特性使其能够承受大电流和高电压,并进行高效的电能转换。由于其相对较低的 RDS(ON),它能够在降低损耗的同时提升转换效率,适用于需要稳定输出的高压电力转换系统。
3. **照明控制系统**
SM6A12NSFP-VB 可在大功率照明系统中使用,尤其是用于调光控制、电光源驱动等应用。其高压工作能力和较低的导通电阻有助于高效控制大电流的照明负载,确保系统的稳定运行,特别是在需要可靠性和长期使用的照明控制模块中。
4. **电动工具和家电设备**
该 MOSFET 可用于电动工具、家用电器等设备中,作为开关元件来控制电流流动。其在高压和中功率的条件下表现出色,能够满足这些设备在高电压下的开关和控制需求。
5. **功率因数校正(PFC)模块**
在功率因数校正电路中,SM6A12NSFP-VB 可用作高效的开关元件。由于其高耐压特性和低导通电阻,它能在功率因数校正系统中减少能量损失,提升效率,尤其适用于工业级电源和大功率设备中。
6. **电动汽车(EV)充电系统**
在电动汽车的充电站或充电设备中,SM6A12NSFP-VB 能够用于高压电流控制。其高电压承载能力和较低的导通电阻使其适合处理电动汽车充电过程中的高电压和大电流,确保充电过程的稳定性和高效性。
### 总结
SM6A12NSFP-VB 是一款高电压、高可靠性的 MOSFET,适用于各种需要高压和中等功率的电子应用。其650V的耐压、较低的导通电阻和良好的开关性能,使其在电源管理、逆变器、照明控制和电动工具等领域表现出色。对于那些要求高效率、低功耗和稳定性的重要应用,这款 MOSFET 提供了理想的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12