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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SiHFIBC40GLC-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SiHFIBC40GLC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介(SiHFIBC40GLC-VB)**

**SiHFIBC40GLC-VB** 是一款 **单 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,专为中等功率的开关应用设计,适用于需要高效电流控制和开关操作的电源管理系统。其 **VDS(漏源电压)** 达到 **650V**,使得该 MOSFET 能够处理较高电压的应用环境。最大 **漏极电流(ID)** 为 **7A**,并且其 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 时为 **1100mΩ**,提供较低的导通电阻,能够有效减少开关损耗。采用 **Plannar 技术**,提升了开关速度和工作效率,使其适用于各种高效能电源模块和开关电路。

### 2. **详细参数说明**

| **参数**                | **描述**                                                     |
|-------------------------|-------------------------------------------------------------|
| **型号**                | SiHFIBC40GLC-VB                                              |
| **封装类型**            | TO220F                                                      |
| **配置**                | 单 N-Channel                                                 |
| **VDS(漏源电压)**      | 650V                                                         |
| **VGS(栅源电压)**      | ±30V                                                         |
| **Vth(开启电压)**      | 3.5V                                                         |
| **RDS(ON)(导通电阻)**   | 1100mΩ@VGS=10V                                               |
| **ID(漏极电流)**       | 7A                                                           |
| **最大功耗**            | 80W                                                          |
| **工作温度范围**        | -55°C 至 150°C                                               |
| **热阻(封装)**        | 62°C/W                                                        |
| **Qg(栅极电荷)**      | 60nC                                                         |
| **技术**                | Plannar                                                      |

### 3. **应用领域与模块示例**

#### 1) **电源管理系统(Power Management Systems)**
**SiHFIBC40GLC-VB** 可广泛应用于 **电源管理系统**,尤其是在 **高压直流电源(DC-DC 转换器)** 和 **电源调节器** 中。其高 **650V** 的耐压能力使其适用于 **高电压电源系统**,特别是需要 **电流开关** 或 **电压转换** 的场合。该 MOSFET 的 **低导通电阻** 和 **较高电流承载能力** 能有效降低电源转换过程中的能量损失,提升系统效率。

#### 2) **逆变器(Inverter Applications)**
在 **逆变器** 中,特别是在 **太阳能逆变器** 和 **小型不间断电源(UPS)** 中,**SiHFIBC40GLC-VB** 可用于高电压和高功率转换。该 MOSFET 在逆变器电路中作为开关元件,能够提供高效的电压转换,尤其在处理 **AC/DC 转换** 或 **DC/AC 转换** 时提供快速响应和高效能。

#### 3) **电动驱动系统(Electric Drive Systems)**
**SiHFIBC40GLC-VB** 适用于 **电动驱动系统** 中,尤其是在 **电动机驱动** 和 **电动工具** 等应用中。由于其 **高电流能力** 和 **低导通电阻**,它能够高效地调节电动机的电流流动,确保电动工具或车辆驱动系统的平稳运行。对于 **直流电机驱动** 系统,MOSFET 能提供精确的开关控制和更长的电池使用寿命。

#### 4) **电池管理系统(Battery Management Systems)**
在 **电池管理系统(BMS)** 中,**SiHFIBC40GLC-VB** 可用于 **电池充放电控制** 和 **电池保护电路**。其 **高耐压** 和 **较低的导通电阻** 特性使其能够有效控制充放电电流,并保护电池免受过压和过流的损害。它适合用于 **锂电池管理** 和 **电池平衡** 应用中,确保电池组的高效和安全运行。

#### 5) **电力转换与调节(Power Conversion & Regulation)**
**SiHFIBC40GLC-VB** 可应用于 **电力转换与调节模块** 中,特别是在 **高功率电源转换器** 和 **电力因数校正(PFC)电路** 中。其高 **650V** 的漏源电压使其适用于需要 **高电压开关** 的电力转换应用。MOSFET 能够提高转换效率,并减少热损失,尤其适用于 **交流电源系统** 和 **高电压电力供应**。

#### 6) **汽车电源系统(Automotive Power Systems)**
在 **汽车电源系统** 中,**SiHFIBC40GLC-VB** 可用于 **电动汽车(EV)** 和 **混合动力汽车(HEV)** 的 **电池管理和驱动控制**。由于其 **650V** 的耐压能力,适用于车载 **高压电池系统** 的充电和放电控制。该 MOSFET 可以高效地调节电池电流,确保车载电池的安全和高效使用。

#### 7) **家电电源(Home Appliance Power Supply)**
在 **家电电源系统**,例如 **空调、冰箱和微波炉** 中,**SiHFIBC40GLC-VB** 用于 **电源开关** 和 **电流调节**。由于其 **较低的导通电阻**,它能够在 **电源转换器** 和 **电流控制电路** 中实现更高的效率和更低的热损失,确保家电产品稳定、安全、高效地运行。

### 总结:
**SiHFIBC40GLC-VB** 是一款 **单 N-Channel MOSFET**,具有 **650V** 的耐压能力和 **7A** 的漏极电流,采用 **Plannar 技术**,非常适用于 **电源管理、逆变器、电池管理系统、电动驱动系统** 等中等功率开关应用。其 **低导通电阻** 和 **较高电流能力** 能够减少能量损失,提升开关效率,并适用于高效电源转换和控制。

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