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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SIHFIBC40G-E3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SIHFIBC40G-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介 - SIHFIBC40G-E3-VB

**SIHFIBC40G-E3-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适用于高功率和中压开关应用。其 **最大漏源电压 (VDS)** 为 **650V**,非常适合用于 **高电压电源管理**、**功率转换**、**电机驱动**等领域。此款MOSFET的 **最大漏极电流 (ID)** 为 **7A**,具有适中的电流承载能力。

该器件的 **导通电阻 (RDS(ON))** 为 **1100mΩ** 在 **VGS = 10V** 下,虽然导通电阻较大,但适用于需要较高电压、较低成本、以及中等电流承载能力的应用场合。采用 **Plannar** 技术,它提供良好的开关特性和可靠性,广泛应用于中压电源转换、负载切换和电机控制等模块。

### 详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO220F  
- **配置 (Configuration)**: 单 N-Channel MOSFET  
- **漏源电压 (VDS)**: 650V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V  
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A  
- **最大功率耗散 (Pd)**: 75W  
- **工作温度范围 (Tj)**: -55°C 至 150°C  
- **栅电荷 (Qg)**: 100nC @ VDS = 25V, VGS = 10V  
- **反向恢复时间 (trr)**: 45ns  
- **技术 (Technology)**: Plannar  

### 适用领域和模块举例

1. **中压电源转换器 (Medium Voltage Power Converters)**  
  **SIHFIBC40G-E3-VB** 适用于 **AC-DC 转换器** 或 **DC-DC 转换器** 中,特别是在需要承受较高电压(最高 650V)的应用中。它可以在 **开关电源 (SMPS)** 和 **功率转换模块** 中用作高效开关器件,有助于提高转换效率并减少系统功率损失,适用于 **家用电器**、**计算机电源**、以及 **工业电源系统** 等。

2. **电机驱动系统 (Motor Drive Systems)**  
  该 MOSFET 可以广泛应用于 **电机驱动电路**,尤其是 **直流电机控制** 和 **步进电机驱动** 中。它适用于电机控制系统中作为开关元件,帮助实现电流的稳定调节和控制,确保系统在高电压环境下的可靠性和稳定性,广泛用于 **工业自动化**、**机器人系统** 和 **家电控制**。

3. **负载开关和高电压开关电路 (Load Switching and High Voltage Switching Circuits)**  
  **SIHFIBC40G-E3-VB** 也可以作为 **负载开关** 在高电压和高电流环境中使用。它的高漏源电压能力使其适合用于高功率 **负载切换电路**,特别是在 **高电压电池管理系统**、**负载电源切换系统** 和 **电气保护电路** 中,能够可靠地切换电流负载,避免电流冲击和电源浪涌。

4. **电动汽车 (Electric Vehicles, EV)**  
  在 **电动汽车** 的 **电池管理系统 (BMS)** 中,**SIHFIBC40G-E3-VB** 可以作为 **功率开关**,有效控制 **电池充电和放电**,确保系统的高效和安全。由于其 **650V** 的漏源电压,该器件适合在电动汽车的高电压电池管理中使用,并能够承受来自电池系统的高电压波动。

5. **光伏逆变器 (Solar Inverters)**  
  在 **光伏系统逆变器** 中,**SIHFIBC40G-E3-VB** 可用于 **直流到交流 (DC-AC) 转换**。光伏逆变器需要能够在较高的工作电压下工作,该 MOSFET 的高 **VDS** 能够支持光伏系统的转换过程,尤其是在有 **高电压和电流需求** 的场合,如 **光伏发电系统** 和 **绿色能源应用** 中。

6. **通信设备电源 (Power Supplies for Communication Equipment)**  
  此款 MOSFET 在 **通信设备** 中也有应用,尤其是用于电源模块的高电压开关。它可以为 **无线基站**、**通信塔** 以及 **数据中心** 等设施提供稳定的电源管理,确保设备在高电压条件下的长期运行。

### 总结

**SIHFIBC40G-E3-VB** 是一款高电压 **N-Channel MOSFET**,最大可承受 **650V** 的漏源电压,适合用于各种 **高电压开关** 和 **电源转换** 应用。其 **1100mΩ** 的导通电阻使其适用于中等功率和中压电源管理、 **电机控制系统**、**负载开关**、以及 **高电压逆变器** 等领域。其 **Plannar** 技术确保了稳定的开关特性和可靠的性能,能够在多个工业和商业应用中满足高电流和高电压的需求。

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