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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SiHFI740GLC-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SiHFI740GLC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**SiHFI740GLC-VB MOSFET 产品简介**

SiHFI740GLC-VB 是一款高耐压N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的最大漏极源极电压(VDS),适用于高电压和高功率的应用。该MOSFET最大漏极电流为12A,适合电源转换、电动机驱动以及功率控制等中高功率的系统。SiHFI740GLC-VB采用了Plannar技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)为680mΩ @ VGS=10V),这使得其能够有效减少功率损耗并提高电流传输效率。其栅极阈值电压(Vth)为3.5V,在较低的栅驱动电压下即可开启,确保高效开关并提供稳定的功率控制。SiHFI740GLC-VB 适用于高压开关电源、逆变器、UPS系统等领域,是高效电力转换和电流控制的重要元件。

---

**SiHFI740GLC-VB MOSFET 详细参数说明**

- **型号**:SiHFI740GLC-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单个N-Channel
- **最大漏极源极电压(VDS)**:650V
- **栅极源极电压(VGS)**:±30V
- **栅极阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:12A
- **技术类型**:Plannar技术

---

**SiHFI740GLC-VB MOSFET 适用领域和模块示例**

1. **开关电源和DC-DC转换器**
  SiHFI740GLC-VB 适用于高电压的开关电源(SMPS)和DC-DC转换器应用。它的650V耐压能力使其能够处理更高电压的输入,而12A的最大漏极电流支持中等功率电源的稳定输出。这种MOSFET非常适合用于工业电源、服务器电源和通信设备中的电力转换模块。

2. **逆变器(Inverter)**
  SiHFI740GLC-VB 可广泛应用于逆变器系统中,如太阳能逆变器、风能逆变器和电力逆变器等。它的高耐压和较低的导通电阻,使得在变换直流电源为交流电源时,能够提供高效的功率转换,适用于需要稳定电力输出的绿色能源和电力系统中。

3. **不间断电源(UPS)系统**
  在不间断电源(UPS)系统中,SiHFI740GLC-VB 作为功率开关元件能够提供稳定的电力转换,并支持高电压的负载切换。它可以用于家庭、商业及工业UPS系统中,确保在电力中断时提供高效、可靠的应急电源。

4. **电动机驱动系统**
  SiHFI740GLC-VB 在电动机驱动应用中可以作为高效的开关元件,特别是在高电压驱动的电动机控制系统中。它的12A最大漏极电流适合中等功率电动机控制,如在家用电器、自动化设备、机器人和电动工具中提供电流控制。

5. **电池管理系统(BMS)**
  SiHFI740GLC-VB 在电池管理系统(BMS)中也有着重要的应用,尤其是在高电压电池组的管理中。它能够有效控制电池的充电和放电过程,保证电池组的安全性和效率,在电动汽车(EV)和电动工具等应用中提供高效的功率管理。

6. **汽车电力电子**
  在汽车电力电子系统中,SiHFI740GLC-VB 可用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)和传统燃油车的高效电源控制。它在电池管理、电力转换和电动驱动系统中具有应用,能够处理高电压电池的电流切换,确保系统的效率和稳定性。

通过这些应用,SiHFI740GLC-VB MOSFET 提供了高电压、高效能的解决方案,适用于各类高功率转换和控制应用,尤其是在要求高效率和高可靠性的电力系统中。

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