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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SiHFI730G-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SiHFI730G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介(SiHFI730G-VB)**

**SiHFI730G-VB** 是一款 **单 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适用于中等功率负载的开关和调节应用。其 **VDS(漏源电压)** 高达 **650V**,非常适合用于 **高电压控制** 的场合。该 MOSFET 的 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 时为 **1100mΩ**,最大 **漏极电流(ID)** 为 **7A**。采用 **Plannar** 技术制造,能够提供相对较高的电流承载能力,适用于 **电力电子、开关电源、以及电机控制** 等多个领域。

### 2. **详细参数说明**

| **参数**                | **描述**                                                     |
|-------------------------|-------------------------------------------------------------|
| **型号**                | SiHFI730G-VB                                                |
| **封装类型**            | TO220F                                                      |
| **配置**                | 单 N-Channel                                                 |
| **VDS(漏源电压)**      | 650V                                                         |
| **VGS(栅源电压)**      | ±30V                                                         |
| **Vth(开启电压)**      | 3.5V                                                         |
| **RDS(ON)(导通电阻)**   | 1100mΩ@VGS=10V                                               |
| **ID(漏极电流)**       | 7A                                                           |
| **技术**                | Plannar                                                      |
| **最大功耗**            | 45W                                                          |
| **工作温度范围**        | -55°C 至 150°C                                               |
| **热阻(封装)**        | 62°C/W                                                        |
| **Qg(栅极电荷)**      | 38nC                                                          |
| **封装材料**            | 环氧树脂                                                      |

### 3. **应用领域与模块示例**

#### 1) **电源管理系统(Power Management Systems)**
**SiHFI730G-VB** 适用于 **开关电源(SMPS)** 和 **电源管理系统**,特别是在 **高压电源** 的设计中。在 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 转换器** 中,MOSFET 用于调节和控制电流的流动,其 **650V** 的高耐压能力使其能够处理高压输入的电源。MOSFET 的 **低导通电阻**(1100mΩ)确保了开关过程中的低功率损耗,从而提高了系统效率,减少了热量积累。

#### 2) **电机控制系统(Motor Control Systems)**
在 **电机控制系统** 中,**SiHFI730G-VB** 可以作为 **电流开关** 用于调节电机驱动的电源。该 MOSFET 的 **7A** 的最大漏极电流能力使其适用于 **低到中功率** 的电机驱动应用。其 **650V** 的耐压等级保证了电机系统中对电压波动的稳定性,尤其适合于 **直流电机驱动** 和 **步进电机控制**。

#### 3) **逆变器应用(Inverter Applications)**
在 **太阳能逆变器** 或 **电池储能系统(BESS)** 中,**SiHFI730G-VB** 用于将 **直流电(DC)** 转换为 **交流电(AC)**。其 **650V** 的耐压能力确保可以承受逆变器中高压输出的需求。MOSFET 的开关特性能够保证转换效率,尤其在 **逆变器中** 用作 **负载开关** 时,能够有效控制电流流向,提高系统的整体效率。

#### 4) **电池管理系统(Battery Management Systems)**
**SiHFI730G-VB** 可用于 **电池管理系统(BMS)** 中,特别是在 **充电/放电路径的控制** 中。在 **锂电池充电器** 和 **电池保护电路** 中,MOSFET 用于开关控制,确保电池在安全电压范围内运行。其 **650V** 的高耐压能力使其在电池充电过程中具有较高的可靠性,同时 **较低的导通电阻** 可以提高效率,减少热量产生。

#### 5) **功率因数校正(PFC)**
在 **功率因数校正电路(PFC)** 中,**SiHFI730G-VB** 可以用于高电压输入的调节电流。MOSFET 的高压承载能力使其适用于 **工业级电源** 和 **AC-DC 转换器** 中的 **PFC电路**,能够帮助提高电源的功率因数,并减少电力浪费和无效功率,优化电源性能。

#### 6) **家电电源(Home Appliance Power Supply)**
该 MOSFET 还适用于 **家电电源管理系统**,例如 **电饭煲、微波炉和洗衣机** 等家电的电源设计。由于 **SiHFI730G-VB** 具备高效的开关特性和稳定的耐压性能,它在低到中功率应用中能够提供可靠的电源转换,帮助提高家电设备的能效和稳定性。

#### 7) **UPS(不间断电源)系统**
在 **UPS** 系统中,**SiHFI730G-VB** 可作为 **开关元件**,实现电力的高效转换。在 **不间断电源** 中,MOSFET 负责 **直流电源(DC)到交流电源(AC)** 的转换,确保在市电中断时,系统能够提供稳定的电力输出,尤其在高负载或复杂电力需求场景中。

#### 8) **汽车电源(Automotive Power Supplies)**
**SiHFI730G-VB** 可用于 **汽车电源管理** 和 **电动汽车** 中的 **高压电源转换器**,提供 **DC-DC 转换** 功能。在 **电动汽车充电系统** 和 **电池电源模块** 中,该 MOSFET 的 **高耐压能力** 能够稳定支持汽车中的电源管理系统,优化电动汽车的电池充电过程。

### 总结:
**SiHFI730G-VB** 是一款 **单 N-Channel MOSFET**,适用于高电压应用,具有 **650V** 的耐压能力和 **7A** 的漏极电流。其采用 **Plannar 技术**,提供 **较低的导通电阻**(1100mΩ),适合多种电源管理、电机控制、逆变器、功率因数校正、电池管理和家电电源等应用领域。通过提供高效的电流控制和开关性能,该 MOSFET 能够提升系统整体效率,减少能量损耗,适用于高压环境中的各种电子设备。

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