--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介 - SiHFI720G-VB
**SiHFI720G-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适用于高压、大功率的开关应用。其最大漏源电压(VDS)为 **650V**,适合在中高压的电源管理、电流控制和功率转换应用中使用。该器件的最大漏极电流(ID)为 **4A**,导通电阻(RDS(ON))为 **2560mΩ** 在 VGS = 10V 下,具有较高的导通电阻,适合在功率损耗相对不敏感的低电流应用中使用。
**SiHFI720G-VB** 采用 **Plannar** 技术,具有良好的电流传输特性和较强的耐压性能。虽然其导通电阻较高,但在一些中等功率、电压要求高的应用中,依然可以提供稳定的性能和可靠性,广泛应用于 **高压电源** 和 **功率控制** 电路。
### 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 单 N-Channel MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **最大功率耗散 (Pd)**: 100W
- **工作温度范围 (Tj)**: -55°C 至 150°C
- **栅电荷 (Qg)**: 50nC @ VDS = 50V, VGS = 10V
- **反向恢复时间 (trr)**: 45ns
- **技术 (Technology)**: Plannar
### 适用领域和模块举例
1. **高压电源管理 (High Voltage Power Management)**
**SiHFI720G-VB** 的 **650V** 漏源电压使其非常适用于 **高压电源管理** 系统。在需要高压控制和电流开关的应用中,如电力转换、电源适配器和 **DC-DC 转换器** 中,可以使用该器件有效地开关电源,以确保设备稳定运行。
2. **功率转换器和逆变器 (Power Converters and Inverters)**
该 MOSFET 可以广泛应用于 **功率转换器** 和 **逆变器** 中,特别是在太阳能逆变器、风能逆变器等可再生能源转换系统中。由于其 **650V** 的耐压特性,**SiHFI720G-VB** 在高压输出阶段能够有效进行电流控制和转换。
3. **电机驱动电路 (Motor Drive Circuits)**
**SiHFI720G-VB** 可用于电机控制电路,尤其是在中等功率的 **DC 电机驱动系统** 中。由于其 **650V** 的耐压能力,适用于高压电机控制应用,提供稳定的功率开关能力,用于电动工具、电动汽车和电动设备等领域。
4. **功率开关和负载控制 (Power Switching and Load Control)**
在 **功率开关** 和 **负载控制** 应用中,**SiHFI720G-VB** 可作为主要的开关器件,用于 **AC-DC 电源转换**,**稳压电源** 和 **高功率开关电源系统**,提供可靠的电流开关功能。
5. **家用电器电源 (Home Appliance Power Supply)**
**SiHFI720G-VB** 也适用于一些高电压家电的电源管理系统,如 **微波炉**、**冰箱**、**空调** 等,这些家用电器需要高耐压和中等功率的 MOSFET 来实现电源转换和功率控制。
6. **汽车电子 (Automotive Electronics)**
在 **汽车电子** 中,**SiHFI720G-VB** 可以用于电池管理、电动汽车的电池充放电控制,以及车载电源的调节电路。由于其良好的耐高压性能,能够有效支持汽车中的高压电子系统,确保安全稳定的运行。
7. **照明控制系统 (Lighting Control Systems)**
在 **LED 照明控制系统** 和 **智能照明解决方案** 中,SiHFI720G-VB 可以用于 **高压 LED 驱动电源**,特别是在大功率 LED 照明应用中,通过稳定开关控制,调节电流以确保高效照明。
### 总结
**SiHFI720G-VB** 是一款 **650V** 漏源电压的 **N-Channel MOSFET**,具有较高的导通电阻 **2560mΩ** 和适中的最大漏极电流 **4A**。其广泛应用于 **高压电源管理**、**功率转换**、**电机驱动**、**负载控制** 等领域,适用于需要高压控制和开关功能的中等功率应用。尽管导通电阻较高,但在大多数中功率电源系统中,它仍然能够提供可靠、稳定的性能,并为电源管理和电机控制等系统提供高效能的开关解决方案。
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