--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**SIHF8N50D-VB** 是一款 **单 N 通道 MOSFET**,采用 **TO220F 封装**,专为 **高电压应用**设计。该 MOSFET 的 **最大漏源电压(V_DS)** 为 **650V**,能够承受高电压并在高电压环境下稳定运行。其 **最大漏电流(I_D)** 为 **12A**,适合于中等功率的开关和电流控制应用。MOSFET 的 **导通电阻(R_DS(on))** 在 **V_GS = 10V** 时为 **680mΩ**,虽然电阻相对较大,但它在负载和高电压条件下仍能提供良好的性能。该 MOSFET 使用 **Plannar 技术**,在高电压环境中提供可靠的工作性能。
### 2. 详细参数说明
- **型号**:SIHF8N50D-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 通道 MOSFET
- **漏源电压(V_DS)**:650V
- **门源电压(V_GS)**:±30V
- **阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- **@ V_GS = 10V**:680mΩ
- **最大漏电流(I_D)**:12A
- **技术**:Plannar
- **最大功率耗散(P_D)**:150W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **热阻**:62.5°C/W (junction-to-case)
#### 主要特点:
- **高漏源电压(650V)**:适用于高电压开关应用。
- **导通电阻**:680mΩ @ V_GS = 10V,虽然电阻较高,但在功率要求较低的应用中仍能提供有效的开关控制。
- **较大漏电流(12A)**:可以处理中等功率负载。
- **Plannar 技术**:为 MOSFET 提供良好的电流控制性能,适应高电压应用。
### 3. 应用领域和模块示例
**1. 高电压电源开关**
- **应用场景**:由于其 **650V** 的漏源电压,**SIHF8N50D-VB** 非常适合在 **高电压电源开关**中使用。它可以作为 **DC-DC 转换器**、**AC-DC 电源适配器** 或 **开关电源(SMPS)** 中的开关元件,负责电压转换与稳压,确保电源系统的高效性和稳定性。
- **例子**:在 **电源管理系统(如UPS、工业电源)** 中,该 MOSFET 可用于电源的电压调节和负载切换,帮助降低功率损耗和提升转换效率。
**2. 逆变器**
- **应用场景**:在 **逆变器** 应用中,MOSFET 作为开关元件被广泛应用于 **DC-AC 转换器** 中。它们能够稳定地转换直流电(如太阳能电池板生成的电流)为交流电,适用于 **太阳能逆变器** 和 **不间断电源系统(UPS)**。
- **例子**:在 **太阳能发电系统** 中,MOSFET 用于 **DC-AC 转换器**,将太阳能电池板产生的直流电转化为交流电,供家庭或电网使用。
**3. 电动机驱动控制**
- **应用场景**:由于其 **650V 的高电压容忍度** 和 **较大电流能力(12A)**,**SIHF8N50D-VB** 适用于 **电动机驱动控制**,尤其是在需要较高电压和较大电流的工业电动机控制电路中。其稳健的开关特性使其成为电动机驱动的理想选择。
- **例子**:在 **电动工具或工业自动化设备** 中,MOSFET 用于控制电动机的起停和运行状态,提供高效的电力传输和负载控制。
**4. 电池管理系统(BMS)**
- **应用场景**:由于其 **650V 的电压承受能力**,该 MOSFET 可应用于 **高电压电池组管理系统**。它用于 **电池充电和放电管理**,确保电池安全工作,并通过高效控制电流来延长电池寿命。
- **例子**:在 **电动汽车** 或 **储能系统** 中,MOSFET 被用作 **电池管理系统(BMS)** 的开关元件,帮助监控和控制电池的充电和放电过程,确保电池的安全和性能。
**5. 电源保护与过载保护**
- **应用场景**:在 **电源保护系统** 中,SiHF8N50D-VB 可作为 **过载保护开关**,能够在电流超过安全范围时切断电源,从而保护电路和设备免受损害。
- **例子**:在 **电力系统保护** 中,MOSFET 可用于过载和短路保护电路,通过迅速断开电源,防止电流过大导致的设备损坏。
### 总结
**SIHF8N50D-VB** 是一款 **650V 漏源电压、12A 漏电流** 的 **单 N 通道 MOSFET**,采用 **TO220F 封装**,适用于 **高电压** 和 **中等功率** 的开关控制应用。其 **680mΩ** 的导通电阻在高电压环境下提供稳定的开关性能,适合在 **电源开关、逆变器、电动机驱动、电池管理系统** 和 **电源保护等领域**中使用。虽然导通电阻相对较高,但它仍然适用于要求较低功率损耗和较大电流处理能力的中等功率应用,能够为电力转换和控制系统提供可靠的支持。
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