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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SIHF7N60E-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SIHF7N60E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介(SIHF7N60E-VB)**

**SIHF7N60E-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单 N-Channel** MOSFET,具有 **650V** 的高耐压能力和 **12A** 的漏极电流。该 MOSFET 采用 **Plannar** 技术,具有较低的 **RDS(ON)**(**680mΩ** @ **VGS=10V**),能够在高电压和高电流条件下提供稳定的性能。其 **3.5V** 的 **Vth(开启电压)** 使其适用于低栅源电压下的高效工作。

该产品适合应用于需要高耐压、高电流的功率转换和电源管理系统,广泛用于工业电力控制、电动机驱动、开关电源、太阳能逆变器等多个领域。凭借其优异的电气性能,**SIHF7N60E-VB** 可以有效降低开关损耗并提高系统效率,尤其适用于需要高可靠性和长寿命的电力电子产品。

### 2. **详细参数说明**

| **参数**                | **描述**                                                       |
|-------------------------|---------------------------------------------------------------|
| **型号**                | SIHF7N60E-VB                                                   |
| **封装类型**            | TO220F                                                         |
| **配置**                | 单 N-Channel                                                    |
| **VDS(漏源电压)**      | 650V                                                           |
| **VGS(栅源电压)**      | ±30V                                                           |
| **Vth(开启电压)**      | 3.5V                                                           |
| **RDS(ON)(导通电阻)**   | 680mΩ@VGS=10V                                                  |
| **ID(漏极电流)**       | 12A                                                            |
| **技术**                | Plannar                                                         |
| **最大功耗**            | 预计根据工作条件,**RDS(ON)** 和电流来计算。                    |
| **工作温度范围**        | -55°C 至 150°C                                                 |
| **热阻(封装)**        | 62.5°C/W                                                       |
| **Qg(栅极电荷)**      | 100nC                                                           |

### 3. **应用领域与模块示例**

#### 1) **开关电源(SMPS)**
**SIHF7N60E-VB** 非常适用于 **开关电源(SMPS)** 中,尤其是高压应用,如 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源模块**。该 MOSFET 的 **650V** 的耐压能力非常适合处理高电压输入,而其 **680mΩ** 的低导通电阻可有效减少功率损耗,提升转换效率。它在电力管理、数据中心、充电站等场合中有着广泛应用。

#### 2) **电动机驱动系统**
**SIHF7N60E-VB** 可以作为电动机驱动系统中的开关元件,特别是在需要 **高电压(650V)** 和 **高电流(12A)** 的应用中。例如,在 **工业自动化系统**、**电动工具**、**HVAC(供暖、通风与空调)设备** 等领域,它能够提供可靠的电流控制和效率优化,确保电动机的高效运转。

#### 3) **太阳能逆变器**
在 **太阳能逆变器** 中,**SIHF7N60E-VB** 用于 **DC-AC 转换**,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。由于其高 **VDS** 和 **高电流能力**,该 MOSFET 能够承受来自太阳能电池板的高电压,并高效地进行功率转换。它的低 **RDS(ON)** 使得在高电流条件下的能量损耗最小,提升了太阳能系统的效率。

#### 4) **电池管理系统(BMS)**
**SIHF7N60E-VB** 在 **电池管理系统(BMS)** 中也有应用,特别是在高电压电池的充放电控制中。例如,电动交通工具(如 **电动汽车** 或 **电动摩托车**)中的电池管理系统,要求高电流和高电压的功率开关以确保电池的高效充电和放电,保护电池免受过电流或过电压的损害。

#### 5) **高压电力转换**
在 **高压电力转换** 应用中,**SIHF7N60E-VB** 可以广泛应用于工业电力系统、轨道交通电力传输、配电设备等。MOSFET 的高 **VDS** 和 **低 RDS(ON)** 特性,使其在高电流和高电压的条件下保持高效稳定的性能,尤其适用于高功率电源、逆变器和不间断电源(UPS)等应用。

#### 6) **电动交通工具(EV/HEV)**
对于 **电动交通工具(EV)** 和 **混合动力电动汽车(HEV)**,**SIHF7N60E-VB** 能够有效地管理电池组的充放电,同时在 **电动机驱动系统** 中提供稳定的功率输出。通过提供 **650V** 的高耐压能力和 **12A** 的高电流,MOSFET 可以确保电池系统和动力系统的高效运行,减少能量损失,提升整体驾驶性能和续航能力。

#### 7) **工业电力控制**
在工业电力控制系统中,**SIHF7N60E-VB** 能够用于 **开关电源模块**、**电力转换模块** 和 **功率因数校正(PFC)电路** 等。它可以控制电力流动,帮助优化工业设备的效率,减少能量消耗,尤其适用于 **电力电子系统** 和 **电气设备控制**,例如 **发电机、可调电源** 和 **电力调节装置**。

### 总结:
**SIHF7N60E-VB** 是一款 **650V** 的 N-Channel MOSFET,适用于高压电源管理、开关电源、电动机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统等多个领域。其 **低 RDS(ON)** 和 **高电流承载能力** 使其在电力转换应用中表现出色,能够有效减少功率损耗,提升系统效率。凭借 **Plannar** 技术,这款 MOSFET 在高电流和高电压的工作条件下,提供稳定可靠的性能,广泛应用于工业、能源、交通等多个高功率电子设备中。

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