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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SIHF6N40D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SIHF6N40D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SIHF6N40D-VB 产品简介

SIHF6N40D-VB 是一款单 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和中等电流的电源管理与功率转换应用。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,适合在需要较高电压耐受的场合使用。具有较高的门槛电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 830mΩ @ VGS=10V,最大漏电流为 10A。该 MOSFET 采用 Plannar 技术,优化了开关性能和热管理,适合在高压电源应用中使用。

该型号 MOSFET 主要用于电源转换、逆变器、功率调节等需要高电压和高可靠性的应用,在工业电源、能源管理系统以及家电中发挥重要作用。它能够在高电压环境下提供稳定的性能,是高效能开关电源和其他功率系统中的理想选择。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)  
- **漏源电压(VDS)**:650V  
- **栅源电压(VGS)**:±30V  
- **门槛电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:  
 - 830mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏电流(ID)**:10A  
- **最大功率耗散(PD)**:75W  
- **最大结温**:150°C  
- **技术类型**:Plannar  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **典型反向恢复时间(Trr)**:150ns  

### 应用领域与模块示例

SIHF6N40D-VB 具有较高的耐压能力和较强的电流承载能力,适用于以下几种典型应用:

1. **高压开关电源(SMPS)**  
  SIHF6N40D-VB 由于其 650V 的漏源电压和 10A 的电流承载能力,适用于高电压开关电源(SMPS)中,如 AC-DC 电源转换器、直流-直流转换器、以及 UPS 电源系统等。它能提供稳定的功率转换,确保电源模块在高压环境下的高效能和可靠性。

2. **逆变器与变频器**  
  该 MOSFET 非常适合用于逆变器和变频器中,特别是用于太阳能逆变器、风力发电系统中的电力转换和调节。它能够承受高电压,且具备较低的导通电阻,有助于优化逆变器的能效并降低发热量。

3. **工业电源与电池管理系统**  
  在工业电源应用中,SIHF6N40D-VB 可作为开关元件用于高电压直流电源的控制。它也广泛应用于电池管理系统(BMS)中,特别是高电压系统,如电动汽车(EV)电池管理模块或其他高电压储能系统,帮助精确控制电池的充放电过程。

4. **功率放大器与高频电路**  
  在一些需要高电压控制的功率放大器应用中,SIHF6N40D-VB 能够提供稳定的输出,尤其适用于通信设备中的功率调节与信号放大电路。它也可用于高频电路和其他要求低开关损耗的应用中。

5. **家电与消费电子**  
  对于高电压家电产品,如空调、洗衣机等,SIHF6N40D-VB 可用于功率调节、加热控制和驱动系统中。其高电压承受能力和较低的导通电阻有助于家电产品在工作时实现高效能和可靠性。

6. **电动机驱动系统**  
  该 MOSFET 也可用于电动机驱动系统中,特别是用于需要高电压控制的工业电动机或家电中的电机驱动。它的稳定开关特性和较高电流承载能力,有助于提供高效的电机驱动,减少损耗并提高效率。

### 总结

SIHF6N40D-VB 是一款高耐压、适中电流的单 N 型 MOSFET,适用于各种高电压电源转换、电动机驱动以及能源管理应用。其 650V 的漏源电压和 10A 的电流承载能力,确保了其在高压电源管理系统中提供高效、可靠的性能。无论是在工业电源、逆变器、家电还是电池管理系统中,它都能发挥重要作用,帮助提高能效并优化系统性能。

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