企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

SIHA25N50E-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SIHA25N50E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**SIHA25N50E-VB** 是一款单 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压、高电流应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,能够承受高达 30V 的栅源电压(VGS),并且具有较高的阈值电压(Vth)为 3.5V。MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,在 VGS = 10V 时,这使得该型号适用于对导通损耗有较高要求的场合。SIHA25N50E-VB 采用平面技术(Plannar),这使其具备较好的可靠性和稳定性,适用于各种高压开关应用。

该产品广泛应用于高压电源管理、工业控制、UPS 电源、LED 驱动等领域,能够在要求较高电压和电流控制的环境下提供稳定和高效的性能。

---

### 详细参数说明

- **型号**:SIHA25N50E-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单 N 型通道  
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V  
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V  
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:  
 - 1100mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏极电流 (ID)**:7A  
- **技术**:Plannar(平面技术)  
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C  
- **特点**:  
 - 高电压承受能力(650V),适用于高压应用  
 - 采用平面技术,确保了较高的可靠性和稳定性  
 - TO220F 封装,提供良好的散热性能  
 - 合适的阈值电压,使其适用于多种控制系统  
 - 适合于电源管理系统和工业应用

---

### 典型应用领域和模块举例

1. **高压电源管理 (High Voltage Power Management)**  
  由于其 650V 的最大漏源电压,SIHA25N50E-VB 特别适合用于高压电源管理系统。在这类应用中,该 MOSFET 可作为功率开关或转换开关,用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等设备中。它能够承受较高的电压并在较大电流下稳定工作,确保电源系统的高效能和可靠性。

2. **不间断电源 (UPS, Uninterruptible Power Supply)**  
  SIHA25N50E-VB 可广泛应用于不间断电源系统中,用于控制电池充放电、实现电源的平稳切换。作为开关元件,它可以高效地处理从市电到电池电源的切换,提供电力保护和电源平衡,确保设备在电力故障情况下的持续供电。

3. **工业电机控制 (Industrial Motor Control)**  
  在工业自动化和电机控制系统中,SIHA25N50E-VB 可用于驱动电机的电源控制模块。在这些应用中,MOSFET 用于控制电机的启动、停止和调速,具有较高的耐压和电流承载能力,能够在高功率负载下提供稳定的开关性能。

4. **电气驱动系统 (Electric Drive Systems)**  
  在电动汽车(EV)和电动工具等电气驱动系统中,SIHA25N50E-VB 能够作为功率开关元件,调节电池与电动机之间的电能传输。其高压承受能力使其适用于电动汽车的高电压系统,如电动机控制器、电池管理系统(BMS)等。

5. **LED 驱动电源 (LED Driver Power Supply)**  
  SIHA25N50E-VB 也非常适合用作高效的 LED 驱动电源中的功率开关。在 LED 照明系统中,MOSFET 可控制电流的流向,确保光源稳定运行并提高能效。由于其较高的电压和电流控制能力,该 MOSFET 能够在高功率应用中提供高效的开关性能,帮助延长 LED 产品的使用寿命。

6. **太阳能逆变器 (Solar Inverters)**  
  在太阳能逆变器中,SIHA25N50E-VB 可用于 DC-AC 转换过程中的高压开关。MOSFET 的高耐压特性使其能够在太阳能系统中承受较高的电压,并有效地将直流电转换为交流电供电网络使用。它的稳定性和高效性有助于提高逆变器的整体性能和电力输出效率。

7. **家电和消费电子 (Home Appliances & Consumer Electronics)**  
  该型号 MOSFET 适用于各种家电和消费电子设备中的电源控制。它能够在空调、冰箱、微波炉等设备中用于开关电源转换,提高电源效率,降低待机功耗,延长设备的使用寿命。

8. **电池充电器 (Battery Chargers)**  
  在电池充电器中,SIHA25N50E-VB 可用于电池的充放电控制。MOSFET 的高耐压能力和低导通损耗使其成为电池充电系统的理想选择。它可以有效地管理电池的充电过程,防止过充和过放,提高电池的使用效率和安全性。

---

**总结**  
SIHA25N50E-VB 是一款具有高电压承受能力(650V)的单 N 型 MOSFET,适用于多种高压电源管理、工业控制、电动工具和能源管理应用。其平面技术设计、低导通电阻以及高耐压特性,使其在电源开关、LED 驱动、太阳能逆变器、电池管理等系统中提供卓越的性能。无论是用于高功率的电源转换,还是需要高电流承载的工业控制应用,SIHA25N50E-VB 都能够提供可靠、高效的电流控制和开关性能。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    728浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    604浏览量