--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**SFF730-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的单 N 通道 MOSFET,具有高可靠性和优异的电性能,适用于高电压、高电流应用。该 MOSFET 具备 650V 的漏源电压 (VDS) 和 10A 的最大漏电流 (ID),并且在 10V 栅源电压下,导通电阻 (RDS(ON)) 为 830mΩ。它使用了 **Plannar 技术**,能够提供良好的开关性能与热稳定性,广泛应用于高效能电源管理、电力转换和负载开关等领域。由于其高漏电压和较高的承载能力,SFF730-VB 是工业控制、开关电源等高压电源系统中不可或缺的元件。
### 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:10A
- **技术**:Plannar 技术
### 应用领域与模块举例
**SFF730-VB** 作为一款高电压、低导通电阻的 MOSFET,特别适用于高功率、高电流和高效率的应用场景。以下是一些典型的应用领域:
1. **开关电源和电源转换器**
SFF730-VB 具有 650V 的高电压承受能力,使其非常适用于 **开关电源 (SMPS)** 和 **电源转换器** 中。它可以有效地控制电流流动,并在高电压和高电流条件下保持稳定运行,适用于工业设备、电动工具、通信设备等高效能电源系统。
2. **工业电源和电机控制**
在 **工业电源系统** 和 **电机驱动控制** 中,SFF730-VB 可用于提供高效的开关控制。其低导通电阻和较高的电流承载能力使其成为电动机控制器、变频器、UPS 系统等设备的理想选择,能够保证设备在高负荷工作下的稳定性和可靠性。
3. **高效能直流电源模块**
该 MOSFET 适用于高效率的 **直流电源模块**。由于其低导通电阻和高电流能力,它可以在低功耗和高效能的应用中提供优化的电流控制,广泛应用于电动工具、电池充电器以及其他便携式设备中。
4. **逆变器和太阳能电源系统**
SFF730-VB 可在 **逆变器** 和 **太阳能发电系统** 中作为开关元件,帮助实现高效的能量转换。它的高电压耐受能力和低导通电阻特性,能够有效降低开关损耗和功率损耗,在太阳能光伏系统和其他绿色能源应用中提高转换效率。
5. **汽车电源系统**
该 MOSFET 在 **汽车电源管理系统** 中也具有广泛应用,尤其是在电池管理系统 (BMS)、电动汽车的动力系统和车载充电器中。它能够实现高效的功率控制与转换,为车辆的电池充电、DC-DC 转换和电机驱动提供稳定支持。
6. **UPS 电源系统**
在 **不间断电源 (UPS) 系统** 中,SFF730-VB 可用于电源转换和电池管理。它的高电流承载能力和高电压特性,能够确保 UPS 系统在断电时能够稳定供电,同时降低功率损耗,提高系统效率。
### 总结
SFF730-VB 是一款高效能、高电压承受能力的单 N 通道 MOSFET,适用于广泛的高电压和高电流应用场景,如开关电源、电力转换、工业电源和电机控制等领域。凭借其低导通电阻、较高的电流承载能力及优异的开关性能,它在高效能电源系统和各种工业应用中发挥着至关重要的作用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12