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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SDF08N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SDF08N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:SDF08N60-VB

SDF08N60-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压电源管理和开关应用设计。该 MOSFET 的最大漏极到源极电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 10A,具有 3.5V 的阈值电压(V_th),以及 830mΩ 的导通电阻(R_DS(on))@V_GS = 10V。SDF08N60-VB 采用 Planar 技术,能够在高电压和大电流环境下提供稳定的开关性能,特别适用于电源转换、电机驱动以及高压开关电源等领域。

### 详细参数说明:

- **封装形式**:TO220F  
- **配置**:单 N 通道(Single-N-Channel)  
- **漏极到源极电压(V_DS)**:650V  
- **栅极到源极电压(V_GS)**:±30V  
- **阈值电压(V_th)**:3.5V  
- **导通电阻(R_DS(on))**:830mΩ(V_GS = 10V)  
- **最大漏电流(I_D)**:10A  
- **技术**:Planar 技术  

### 应用领域及模块举例:

1. **高压电源管理系统**:
  - SDF08N60-VB 广泛应用于高压电源管理领域,尤其是电源适配器和 AC-DC 转换器等高电压电源系统中。由于其 650V 的最大漏极电压和低导通电阻,它能提供稳定、高效的电能转换和电流控制,适用于要求高电压支持和低损耗的电源管理场景。

2. **电机驱动系统**:
  - 作为电机驱动中的核心开关元件,SDF08N60-VB 可广泛应用于电动工具、电动家电、工业自动化和电动汽车等电机控制系统中。其高压和高电流耐受能力使其能够有效地调节电机转速、控制启动和停止,从而提升电机驱动系统的效率和可靠性。

3. **逆变器和电力转换器**:
  - 在逆变器和电力转换器中,SDF08N60-VB 可作为开关元件进行功率转换,特别适用于太阳能光伏逆变器、电动汽车充电器等高功率转换应用。该 MOSFET 的高电压承受能力和低导通电阻使其能够减少能源损耗,提高功率转换效率,并在高电压下稳定工作。

4. **UPS(不间断电源)系统**:
  - SDF08N60-VB 可作为 UPS 系统中的开关元件,帮助电池管理和电源调节模块实现高效的电能传输。在电源中断或电力波动的情况下,UPS 系统可使用该 MOSFET 保证设备持续稳定供电。其高耐压和高电流能力使其适应严苛的电力环境,提供可靠的电力供应。

5. **家电和消费电子**:
  - 该 MOSFET 在家电和消费电子产品中的应用也非常广泛,尤其是在空调、冰箱、洗衣机等家电的电源管理和驱动模块中。由于其高压特性和高效能,SDF08N60-VB 可以提升这些设备的工作效率并降低功率损耗,同时也能提高设备的长期可靠性和稳定性。

6. **工业控制和自动化设备**:
  - 在工业自动化领域,SDF08N60-VB 适用于电气控制系统、PLC 电源模块和工厂自动化设备的电力管理。在需要高电压开关的负载控制中,它能高效地处理大电流电流流动,确保设备在高压环境下的稳定运行。无论是工业机器人、生产线控制,还是其他自动化设备,该 MOSFET 都能提供必要的功率开关和控制。

### 总结:

SDF08N60-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,具有 650V 的漏极电压、830mΩ 的导通电阻(V_GS = 10V)和 10A 的漏电流承受能力。它适用于高电压电源管理、电机驱动、逆变器、UPS 系统、家电和工业自动化等多个领域。凭借其稳定可靠的性能和高效能开关特性,SDF08N60-VB 能有效地在高电压电源环境中提供低损耗和高效率的电流控制,确保系统的稳定运行和能效优化。

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