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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SDF08N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SDF08N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

**SDF08N50-VB** 是一款高耐压 N 型MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压电源和功率开关应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为 650V,具有较低的导通电阻(RDS(ON))680mΩ,能够在 10V 的门电压下提供良好的导电性能,适合中等功率和高压开关应用。其最大漏电流(ID)为 12A,在高压电路中表现出色。采用 Plannar 技术,这款MOSFET在高压应用中具有较高的稳定性和可靠性,广泛应用于工业控制、电源管理系统、逆变器、以及其他需要高压和高可靠性的模块。

### 详细参数说明:

- **型号**:SDF08N50-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极N型MOSFET  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **最大门源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏电流(ID)**:12A  
- **技术**:Plannar  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **最大功率损耗(P_D)**:80W  
- **最大结温(Tj)**:150°C  
- **应用领域**:高压电源管理、逆变器、电机驱动、电源转换器等

### 应用领域与模块示例:

1. **高压电源管理**:
  SDF08N50-VB 可用于高压电源系统中,尤其是需要高电压(如650V)的开关电源模块。它适用于高效率的电源转换,能有效地处理大功率负载,常见于各种电子设备的电源适配器和AC-DC转换器。

2. **逆变器系统**:
  在光伏发电系统、风力发电系统等逆变器应用中,SDF08N50-VB 能够稳定地工作在较高的电压和功率范围。其650V的最大漏源电压非常适合将直流电转换为交流电的过程中进行开关控制,广泛用于高效逆变器和电源转换模块。

3. **电机控制系统**:
  SDF08N50-VB 可作为电动机驱动系统中的关键开关元件,尤其是在需要较高电压的电机控制应用中。无论是电动工具、工业机器人,还是HVAC系统中的电机驱动模块,均可利用这款MOSFET提供高效的开关控制,优化电机的运行效率和性能。

4. **电力电子装置**:
  该MOSFET非常适用于需要高电压和高可靠性的电力电子装置。例如,在电力传输和配电系统中,SDF08N50-VB 可用于电力转换模块中,支持高压直流(HVDC)电源转换、功率因数校正(PFC)和电能质量调节。

5. **电池管理系统(BMS)**:
  在电池管理系统中,SDF08N50-VB 可用于开关和保护电路,确保在电池充放电过程中不会发生过压或过流等异常情况。它能有效管理电池组的电压与电流,在电动汽车(EV)和储能系统等高压电池系统中提供高效的控制与保护。

6. **UPS(不间断电源)系统**:
  SDF08N50-VB 可用于UPS系统中的电源开关部分,帮助确保在主电源故障时,UPS能够稳定并高效地提供备用电力。其高耐压特性使其适应了不同电压环境下的稳定工作需求。

7. **高功率电源模块**:
  SDF08N50-VB 在高功率电源模块中应用广泛,特别是在需要长时间稳定运行的应用场合中,如工业控制设备、大型UPS、数据中心电源等,能有效减少系统功耗并提高能效。

### 总结:

SDF08N50-VB 是一款高耐压、高稳定性的 N 型MOSFET,适用于650V的高压应用。其低导通电阻(680mΩ)和高电流能力(12A)使其在电源管理、逆变器、电机驱动系统及其他高压电力电子装置中表现出色。广泛应用于高压电源转换、电池管理、电动汽车、UPS系统等领域,提供高效、可靠的性能,适合需要高电压、高功率及高稳定性的工业和消费电子应用。

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