--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SDF07N50-VB MOSFET 产品简介**
SDF07N50-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 型 MOSFET,具有较高的漏源电压(VDS 650V)和额定电流(ID 12A)。该 MOSFET 采用了平面技术(Plannar),适用于各种电力电子应用,尤其是在高压、高电流开关电源、电动机驱动、功率放大器等领域中表现优异。其较低的导通电阻(RDS(ON) = 680mΩ 在 VGS = 10V 时)使其具有较低的功率损耗和热量产生,适合用于要求高开关效率和可靠性的系统中。
该产品非常适合在高电压、高电流负载的环境下运行,能提供稳健的性能,尤其在大功率转换和高频开关应用中显示其优势。此外,SDF07N50-VB 的宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使得它在恶劣环境下也能稳定工作,进一步提升了系统的可靠性和耐用性。
**SDF07N50-VB MOSFET 详细参数说明**
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 型 MOSFET (Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **漏极电流(ID)**:12A
- **技术**:Plannar
- **最大功耗**:适合高功率应用
- **最大工作温度**:-55°C 至 +150°C
- **特性**:低导通电阻、高电压、高电流承载能力、宽工作温度范围、适合高频开关应用
**SDF07N50-VB MOSFET 的应用领域与模块示例**
1. **高压电源系统**:
SDF07N50-VB 是一种优秀的开关元件,广泛应用于高压电源系统,如工业电源、通信电源、UPS(不间断电源)等。在这些系统中,SDF07N50-VB 能有效控制电压和电流的转换,其高压承受能力(650V)和低导通电阻使得电源系统可以在高效率和低损耗的条件下工作。
2. **开关电源(SMPS)**:
SDF07N50-VB MOSFET 在高效率开关电源(SMPS)中具有广泛应用,特别是在要求高频开关和高电压处理的场合。它的低 RDS(ON) 特性使得系统在频繁开关时能够减少能量损失和热量积聚,提高整体效率,适用于高效电源和 DC-DC 转换器等。
3. **电动机驱动系统**:
在电动机驱动和控制系统中,SDF07N50-VB 可作为高效开关元件,用于控制电动机的电流和电压。这种 MOSFET 具备良好的热管理和高电流承载能力,适用于电动机驱动器、电动工具、电动汽车(EV)及工业设备中。
4. **功率放大器**:
在功率放大器设计中,SDF07N50-VB 的高漏源电压和大电流承载能力使其非常适合用于广播、无线通信、雷达系统等需要高功率输出的设备。它能够提供稳定的信号放大功能,保证信号的清晰度和可靠性。
5. **逆变器系统**:
逆变器(尤其是用于太阳能发电系统或风力发电系统的逆变器)要求使用高效的功率开关元件以确保稳定的电能转换。SDF07N50-VB 在这类应用中非常适合,因为它能有效地承受逆变过程中产生的高电压(650V)和电流,确保系统在高效能下稳定工作。
6. **电池管理系统(BMS)**:
在电池管理系统中,SDF07N50-VB 可以用于电池的充放电控制,尤其是在电动汽车(EV)和储能系统中,SDF07N50-VB 提供了高效、低损耗的电流开关,能有效提高电池的充放电效率,延长电池寿命。
7. **工业自动化系统**:
在工业自动化中,SDF07N50-VB MOSFET 可用于控制电流的开关,如用于机器的电动机控制系统中。这种 MOSFET 具有高电流承载能力和稳定性,非常适合在高负载环境中工作,例如在自动化生产线、机械设备和机器人中使用。
8. **高电压电路**:
由于其650V的最大漏源电压,SDF07N50-VB 也非常适合用于高电压电路,尤其是在需要开关高电压负载的应用场合,如高压电力转换设备、电力系统和电网中的电源控制模块。
9. **焊接设备和激光设备**:
在焊接设备及激光设备中,由于这些应用通常涉及到高功率且精确控制的电流流动,SDF07N50-VB 的低 RDS(ON) 和较高的工作电压使其成为理想的选择。它能够在精确的功率控制下,确保高效和稳定的工作性能。
**总结:**
SDF07N50-VB 是一款高性能的 N 型 MOSFET,适用于电源管理、电动机驱动、逆变器、功率放大器和高电压控制等领域。凭借其650V的漏源电压、12A的额定电流及低导通电阻的特点,它能够在高电压、高电流负载的应用中提供卓越的效率和可靠性。
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