企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SDF07N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SDF07N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**SDF07N50-VB MOSFET 产品简介**

SDF07N50-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 型 MOSFET,具有较高的漏源电压(VDS 650V)和额定电流(ID 12A)。该 MOSFET 采用了平面技术(Plannar),适用于各种电力电子应用,尤其是在高压、高电流开关电源、电动机驱动、功率放大器等领域中表现优异。其较低的导通电阻(RDS(ON) = 680mΩ 在 VGS = 10V 时)使其具有较低的功率损耗和热量产生,适合用于要求高开关效率和可靠性的系统中。

该产品非常适合在高电压、高电流负载的环境下运行,能提供稳健的性能,尤其在大功率转换和高频开关应用中显示其优势。此外,SDF07N50-VB 的宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使得它在恶劣环境下也能稳定工作,进一步提升了系统的可靠性和耐用性。

**SDF07N50-VB MOSFET 详细参数说明**

- **封装**:TO220F  
- **配置**:单 N 型 MOSFET (Single-N-Channel)  
- **漏源电压(VDS)**:650V  
- **栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ(在 VGS = 10V 时)  
- **漏极电流(ID)**:12A  
- **技术**:Plannar  
- **最大功耗**:适合高功率应用  
- **最大工作温度**:-55°C 至 +150°C  
- **特性**:低导通电阻、高电压、高电流承载能力、宽工作温度范围、适合高频开关应用

**SDF07N50-VB MOSFET 的应用领域与模块示例**

1. **高压电源系统**:
  SDF07N50-VB 是一种优秀的开关元件,广泛应用于高压电源系统,如工业电源、通信电源、UPS(不间断电源)等。在这些系统中,SDF07N50-VB 能有效控制电压和电流的转换,其高压承受能力(650V)和低导通电阻使得电源系统可以在高效率和低损耗的条件下工作。

2. **开关电源(SMPS)**:
  SDF07N50-VB MOSFET 在高效率开关电源(SMPS)中具有广泛应用,特别是在要求高频开关和高电压处理的场合。它的低 RDS(ON) 特性使得系统在频繁开关时能够减少能量损失和热量积聚,提高整体效率,适用于高效电源和 DC-DC 转换器等。

3. **电动机驱动系统**:
  在电动机驱动和控制系统中,SDF07N50-VB 可作为高效开关元件,用于控制电动机的电流和电压。这种 MOSFET 具备良好的热管理和高电流承载能力,适用于电动机驱动器、电动工具、电动汽车(EV)及工业设备中。

4. **功率放大器**:
  在功率放大器设计中,SDF07N50-VB 的高漏源电压和大电流承载能力使其非常适合用于广播、无线通信、雷达系统等需要高功率输出的设备。它能够提供稳定的信号放大功能,保证信号的清晰度和可靠性。

5. **逆变器系统**:
  逆变器(尤其是用于太阳能发电系统或风力发电系统的逆变器)要求使用高效的功率开关元件以确保稳定的电能转换。SDF07N50-VB 在这类应用中非常适合,因为它能有效地承受逆变过程中产生的高电压(650V)和电流,确保系统在高效能下稳定工作。

6. **电池管理系统(BMS)**:
  在电池管理系统中,SDF07N50-VB 可以用于电池的充放电控制,尤其是在电动汽车(EV)和储能系统中,SDF07N50-VB 提供了高效、低损耗的电流开关,能有效提高电池的充放电效率,延长电池寿命。

7. **工业自动化系统**:
  在工业自动化中,SDF07N50-VB MOSFET 可用于控制电流的开关,如用于机器的电动机控制系统中。这种 MOSFET 具有高电流承载能力和稳定性,非常适合在高负载环境中工作,例如在自动化生产线、机械设备和机器人中使用。

8. **高电压电路**:
  由于其650V的最大漏源电压,SDF07N50-VB 也非常适合用于高电压电路,尤其是在需要开关高电压负载的应用场合,如高压电力转换设备、电力系统和电网中的电源控制模块。

9. **焊接设备和激光设备**:
  在焊接设备及激光设备中,由于这些应用通常涉及到高功率且精确控制的电流流动,SDF07N50-VB 的低 RDS(ON) 和较高的工作电压使其成为理想的选择。它能够在精确的功率控制下,确保高效和稳定的工作性能。

**总结:**
SDF07N50-VB 是一款高性能的 N 型 MOSFET,适用于电源管理、电动机驱动、逆变器、功率放大器和高电压控制等领域。凭借其650V的漏源电压、12A的额定电流及低导通电阻的特点,它能够在高电压、高电流负载的应用中提供卓越的效率和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    150浏览量