--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### R6004ENX-VB 产品简介
R6004ENX-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压和中等电流应用设计。其具备良好的导通性能和高耐压特性,适合用于电源管理、开关电路和各种工业应用,提供可靠的性能和高效的能量转换。
### 详细参数说明
- **型号**:R6004ENX-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N通道
- **VDS(漏极-源极电压)**:650V
- **VGS(栅极-源极电压)**:±30V
- **Vth(阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:1100mΩ(在VGS=10V时)
- **ID(连续漏电流)**:7A
- **技术**:Plannar
### 应用领域和模块
1. **电源转换器**:
R6004ENX-VB可广泛应用于开关电源和直流-直流转换器,作为高压开关元件,提供高效的能量转换和管理,适合各种消费电子产品和工业设备。
2. **电动机驱动**:
在电机控制系统中,该MOSFET可以用于控制电机的启动和调速,适合工业自动化、家电和电动车辆等应用,确保高效的动力输出。
3. **逆变器系统**:
在可再生能源系统(如太阳能和风能)中的逆变器电路中,R6004ENX-VB能够处理高电压应用,提高系统效率和稳定性。
4. **照明控制电路**:
该MOSFET可用于LED驱动和调光电路中,提供灵活的控制方案,适用于商业照明和智能家居系统。
5. **高压开关应用**:
由于其650V的耐压能力,R6004ENX-VB适合用于需要高电压保护的应用场合,如电力分配和电气设备的开关控制。
综上所述,R6004ENX-VB在多个领域和模块中的应用,体现了其高效率和可靠性的优势,是高压应用的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12