--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### P5NK60ZFP-VB 产品简介
P5NK60ZFP-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压可达 650V,能够有效应对各种电力需求,适用于高电压电源和电机驱动等领域。该器件的漏电流能力为 7A,结合其适中的导通电阻,使其在高压环境中表现出色,提供可靠的性能和效率。
### 详细参数说明
- **型号**: P5NK60ZFP-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar
### 适用领域和模块
1. **电源转换器**: P5NK60ZFP-VB 在高压电源转换器中应用广泛,包括开关电源和 DC-DC 转换器,能够有效管理电能并提高效率。
2. **电动机控制**: 该 MOSFET 非常适合用于电动机驱动系统,能够处理高电压和电流,适用于工业设备和消费类家电。
3. **逆变器**: P5NK60ZFP-VB 可用于太阳能逆变器和其他可再生能源应用,确保在高电压条件下稳定运行,实现高效的电能转换。
4. **照明系统**: 在高压照明控制电路中,该 MOSFET 可用于控制 LED 和其他照明设备,提供稳定的电流和优越的性能。
5. **工业自动化**: P5NK60ZFP-VB 在工业自动化系统中也有广泛应用,如电源分配和高压继电器驱动,保证设备的高效和可靠运行。
通过以上应用领域,P5NK60ZFP-VB 显示出其在高压电力系统中的重要性,是现代电子设备中不可或缺的关键组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12