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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF08N50Z-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF08N50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF08N50Z-VB 产品简介  
NDF08N50Z-VB 是一款采用 **TO-220F 封装**的 **单 N 沟道 MOSFET**,设计用于高电压及高电流负载的应用。该器件具有 **650V 的漏源电压 (VDS)**,以及 ±30V 的栅源电压 (VGS),适合电源转换和电动机驱动等高电压应用。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 **680mΩ**,在最大漏极电流 **12A** 的情况下,表现出优良的导通效率和热性能。其采用的 **平面工艺技术**(Plannar)确保了器件的可靠性和稳定性,适合长时间运行。

---

### 二、NDF08N50Z-VB 详细参数说明  
| **参数**            | **数值**               | **说明**                                   |
|--------------------|------------------------|------------------------------------------|
| **封装类型**        | TO-220F               | 提供良好的散热性能,适合通孔焊接应用。   |
| **MOSFET 配置**     | 单 N 沟道             | 高效电流控制,适用于多种负载应用。       |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                  | 支持高压应用,如电源和逆变器。           |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                  | 高栅极驱动裕度,增强控制能力。            |
| **开启电压 (Vth)** | 3.5V                  | 栅极电压达到此值时,MOSFET 开始导通。    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V  | 合理的 RDS(ON) 适合多种电源管理应用。     |
| **漏极电流 (ID)**  | 12A                   | 最大持续漏极电流,适合高电流负载。       |
| **技术类型**        | 平面工艺 (Plannar)   | 提供稳定的开关性能和较长的寿命。          |

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### 三、应用领域与模块示例  
1. **电源管理与转换器**:  
  - NDF08N50Z-VB 可广泛应用于 **开关电源(SMPS)**,用于高压直流电源转换和管理。其高达 650V 的漏源电压和较低的导通电阻,确保电源系统的效率和可靠性。  
  - 在 **适配器和充电器**中,作为功率开关控制部分,提高电源转换效率,特别是在需要高功率输出的应用中。

2. **电动机控制**:  
  - 该 MOSFET 适合用于 **电动机驱动**,如 **DC 电动机和步进电机控制**。其最大 12A 的漏极电流能力使其能够处理大电流负载,满足电机启停和调速的需求。  
  - 在 **工业自动化**中,作为电机驱动模块的一部分,提供精准的电流控制和开关性能,确保电机系统的高效运行。

3. **光伏及逆变器应用**:  
  - NDF08N50Z-VB 可在 **光伏逆变器**中用作开关器件,将光伏电池产生的直流电转换为交流电。其高电压能力和稳定性使其适用于复杂的电力电子系统。  
  - 另外,在 **不间断电源(UPS)**中,作为逆变器部分的开关元件,保证在断电时为负载提供稳定的电源。

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NDF08N50Z-VB 的高电压和电流特性使其适用于电源管理、电动机控制、光伏逆变器等多个领域,为各种应用提供高效和稳定的性能。

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