企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

NDF06N62Z-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF06N62Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF06N62Z-VB 产品简介  
NDF06N62Z-VB是一款高性能**单N沟道功率MOSFET**,采用**TO-220F封装**,适用于需要高电压和高电流的应用。其最大漏极-源极电压可达**650V**,支持高压开关操作。在10V栅极驱动下,该MOSFET的**导通电阻(RDS(ON))为1.1Ω**,能够承载**最大漏极电流为7A**,表现出良好的导电性能和热稳定性。基于**平面型技术(Planar Technology)**,NDF06N62Z-VB具备卓越的可靠性,适合在各种严苛的电气环境中使用。

---

### 二、NDF06N62Z-VB 详细参数说明  

| **参数**            | **值**               | **说明**                                           |
|--------------------|---------------------|--------------------------------------------------|
| **封装 (Package)** | TO-220F             | 全塑料封装,提供良好绝缘,适合高压应用。               |
| **配置**            | 单N沟道 (Single-N)  | 适合高电压开关和控制应用的单一通道MOSFET。             |
| **漏-源电压 (VDS)** | 650V                | 可承受的最大漏极-源极电压,适用于高压电路。              |
| **栅-源电压 (VGS)** | ±30V               | 允许的栅极-源极最大电压,增加应用设计的灵活性。         |
| **阈值电压 (Vth)**  | 3.5V                | 栅极开启电压,确保在特定控制电压下正确开关。             |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ (@ VGS=10V) | 在标准驱动电压下的导通电阻,影响功率损耗和效率。          |
| **漏极电流 (ID)**   | 7A                  | 在给定环境下允许的最大漏极电流。                        |
| **技术 (Technology)** | 平面型 (Planar)     | 确保良好的热稳定性和一致的性能表现。                    |

---

### 三、应用领域和模块示例  

1. **开关电源(SMPS)**  
  NDF06N62Z-VB非常适合用于开关电源中的主要开关元件。由于其650V的耐压特性,能够安全高效地处理电源转换过程中的高电压,确保系统的稳定性和效率。  

2. **LED驱动器**  
  在LED照明应用中,该MOSFET可用于驱动电流的控制,特别是在高功率LED照明系统中。其低导通电阻提高了效率,减少了发热,从而延长了LED的使用寿命。  

3. **电机控制和变频器**  
  NDF06N62Z-VB适合用于电机驱动和变频器系统,能够支持高达7A的漏极电流,满足中低功率电机的启动和运行要求,提升控制精度和响应速度。  

4. **逆变器和电池管理系统(BMS)**  
  在逆变器应用中,该MOSFET能够高效地开关和控制电力转换,适用于太阳能逆变器和电池管理系统中的高压保护电路,确保系统的安全和可靠性。  

---

凭借其高压能力、良好的电流处理能力和可靠的封装设计,NDF06N62Z-VB广泛应用于电源管理、照明控制以及工业自动化等领域,满足了多种应用的需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    730浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    609浏览量