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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF06N60ZH-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF06N60ZH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF06N60ZH-VB 产品简介  
NDF06N60ZH-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,封装为 **TO-220F**,具有 **650V** 的高耐压能力,适用于高压驱动应用。其 **VGS 额定电压为 ±30V**,导通阈值电压 (**Vth**) 为 **3.5V**,确保在较低的控制电压下有效触发。此 MOSFET 使用 **平面 (Planar) 工艺**,提供 **1100mΩ 的导通电阻 (RDS(ON))**,最大电流 **ID 为 7A**。凭借其耐高压特性,该器件适合应用于电源变换和高压控制模块。

---

### 二、详细参数说明  
| **参数名称**       | **规格**                    | **说明**                                 |
|-------------------|-----------------------------|------------------------------------------|
| **型号**           | NDF06N60ZH-VB               |                                          |
| **封装类型**       | TO-220F                     | 绝缘型封装,适合高功率应用,减少散热需求 |
| **配置**           | 单 N 沟道                   | 只包含一个 N 型沟道,便于电源开关控制    |
| **漏源极电压 (VDS)** | 650V                        | 能够承受的最大漏极-源极电压               |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±30V                        | 栅极控制电压的最大限值,防止击穿         |
| **导通阈值电压 (Vth)** | 3.5V                        | MOSFET 从关闭到导通的最低栅极电压         |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS=10V           | 导通状态下的漏源极电阻                  |
| **漏极电流 (ID)**  | 7A                          | 最大持续漏极电流                        |
| **技术**           | 平面 (Planar)               | 使用平面工艺,保证可靠性与耐压性        |

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### 三、应用领域和模块示例  
1. **工业电源转换**:  
  NDF06N60ZH-VB 适用于工业领域的 **AC-DC 和 DC-DC 转换器**,特别是在需要高压隔离的电源模块中。其 650V 的高耐压确保其在开关电源或逆变器的输入端可以安全工作。  

2. **电机驱动和控制**:  
  在工业电机控制系统中,该 MOSFET 可用作 **高压直流开关**,驱动感应电机或永磁电机。此外,其平面技术减少了电流噪声,在严苛的环境中表现出色。  

3. **照明驱动器和 LED 电源**:  
  NDF06N60ZH-VB 能够应用于 **LED 驱动电源**,尤其是高压街道照明或工业照明系统中。其耐高压特性使其能够承受瞬态浪涌电压,提高系统可靠性。  

4. **家用电器和高压逆变器**:  
  在家用电器(如微波炉、空调等)的高压逆变器模块中,该 MOSFET 可用于 **功率调节和电压转换**,确保高效电能传输和稳定运行。  

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此 MOSFET 通过优良的耐压能力和平面工艺,为各类高压模块和转换器提供了稳定可靠的开关性能,是电力电子领域中的重要元器件。

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