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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF04N62Z-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF04N62Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF04N62Z-VB 产品简介  
NDF04N62Z-VB 是一款采用 **TO-220F 封装**的 **单 N 沟道 MOSFET**,设计用于处理高电压负载的应用。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 以及 ±30V 的栅源电压 (VGS),能够应对工业和电力转换领域中的高压需求。凭借其 **平面工艺技术**(Plannar),该器件在长期运行中表现出优异的可靠性。尽管其导通电阻相对较高(RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V),但在中低电流应用中(最大漏极电流为 4A)仍能提供有效的开关控制。

---

### 二、NDF04N62Z-VB 详细参数说明  
| **参数**            | **数值**               | **说明**                                   |
|--------------------|------------------------|------------------------------------------|
| **封装类型**        | TO-220F               | 提供良好的散热性能并适用于通孔焊接应用。 |
| **MOSFET 配置**     | 单 N 沟道             | 支持 N 沟道的高效电流控制。               |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                  | 支持高压应用,如电源和逆变器。           |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                  | 高栅极驱动裕度,增强控制能力。            |
| **开启电压 (Vth)** | 3.5V                  | 栅极电压达到此值时,MOSFET 开始导通。    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V | 较高的 RDS(ON) 适用于低功率或控制型应用。 |
| **漏极电流 (ID)**  | 4A                    | 最大持续漏极电流,用于中低电流负载。     |
| **技术类型**        | 平面工艺 (Plannar)   | 提供稳定的开关性能和较长的寿命。          |

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### 三、应用领域与模块示例  
1. **家电及电力转换模块**:  
  - 该器件的 650V 漏源电压特性使其适合 **家用电器的电源管理**,例如电热水壶、冰箱和空调的电源控制模块。  
  - 在 **LED 驱动器**中,NDF04N62Z-VB 能够控制交流转直流(AC-DC)的变换器部分。  

2. **工业控制与自动化领域**:  
  - 适用于 **工业电机驱动**,尤其是在需要控制中小功率电机的场景下,用于电流调节或驱动部分。  
  - 在 **PLC 控制系统**中,可以作为低速开关,用于管理工业设备中的信号传输或负载切换。

3. **光伏逆变器与能量管理**:  
  - NDF04N62Z-VB 在 **光伏系统**中可作为直流电流转换模块的一部分,用于管理电池或光伏组件与电网之间的能量交换。  
  - 在 **不间断电源(UPS)**和逆变器模块中,凭借其高电压特性,该器件能够有效控制逆变电路的功率流动。

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NDF04N62Z-VB 的高电压和稳定开关性能使其特别适合家电、电力转换、工业控制和光伏领域中的低功率控制和保护电路应用。

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