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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF04N62ZG-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF04N62ZG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF04N62ZG-VB 产品简介  
NDF04N62ZG-VB 是一款高压单极 N 沟道功率 MOSFET,封装为 **TO-220F**,专为高压应用而设计,具备良好的开关性能和耐用性。其 **650V 的漏源电压(VDS)** 和 4A 的电流能力使其适用于多种高压应用场景。MOSFET 采用 **平面工艺(Plannar Technology)**,具有稳定的工作特性,并提供了 ±30V 的栅极电压耐受能力,确保可靠的栅极控制。

---

### 二、详细参数说明  
| **参数名称**           | **参数值**                | **说明**                         |
|-----------------------|--------------------------|----------------------------------|
| **封装类型**            | TO-220F                  | 绝缘封装,有效防止短路和漏电    |
| **沟道类型**            | N-Channel                | 适用于高速开关和驱动电路        |
| **漏源电压 (VDS)**     | 650V                     | 支持高压直流/交流系统           |
| **栅源电压 (VGS)**     | ±30V                     | 高耐压设计,确保安全驱动        |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V                     | 栅极开启所需的最小电压          |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V         | 确保适中导通电阻以限制损耗      |
| **漏极电流 (ID)**      | 4A                       | 适用于中小电流应用              |
| **工艺技术**            | 平面工艺 (Plannar)       | 稳定性高、适用于耐压场合        |

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### 三、适用领域及模块应用举例  
1. **电源管理模块**  
  NDF04N62ZG-VB 可用于开关电源 (SMPS) 和 LED 驱动器等电路中,依靠其高耐压特性和良好的开关速度,在高压输入电源系统中实现高效能量转换。  

2. **电机控制系统**  
  在电机驱动系统(如风扇、泵类设备)中,该 MOSFET 可用作高压桥式逆变器中的开关器件,为感应电机提供有效的驱动控制。  

3. **工业自动化控制**  
  工业自动化设备中,NDF04N62ZG-VB 可用在高压继电器或可控开关模块中,确保在恶劣的工业环境下可靠运行。  

4. **太阳能逆变器**  
  由于其 650V 的高压承受能力,该 MOSFET 非常适合应用于太阳能逆变器的高压端,帮助提升电能转换效率和稳定性。  

5. **电池保护电路**  
  在电池管理系统 (BMS) 中,该器件可以作为高压保护开关,确保电池组的安全运行,避免过压损坏。

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**总结:** NDF04N62ZG-VB 以其出色的高压性能和平面技术,适用于多种电力电子设备和模块,特别是在需要高压开关和耐久性要求高的应用场景中,是一种可靠的选择。

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