--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NDF04N62ZG-VB 产品简介
NDF04N62ZG-VB 是一款高压单极 N 沟道功率 MOSFET,封装为 **TO-220F**,专为高压应用而设计,具备良好的开关性能和耐用性。其 **650V 的漏源电压(VDS)** 和 4A 的电流能力使其适用于多种高压应用场景。MOSFET 采用 **平面工艺(Plannar Technology)**,具有稳定的工作特性,并提供了 ±30V 的栅极电压耐受能力,确保可靠的栅极控制。
---
### 二、详细参数说明
| **参数名称** | **参数值** | **说明** |
|-----------------------|--------------------------|----------------------------------|
| **封装类型** | TO-220F | 绝缘封装,有效防止短路和漏电 |
| **沟道类型** | N-Channel | 适用于高速开关和驱动电路 |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V | 支持高压直流/交流系统 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V | 高耐压设计,确保安全驱动 |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V | 栅极开启所需的最小电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V | 确保适中导通电阻以限制损耗 |
| **漏极电流 (ID)** | 4A | 适用于中小电流应用 |
| **工艺技术** | 平面工艺 (Plannar) | 稳定性高、适用于耐压场合 |
---
### 三、适用领域及模块应用举例
1. **电源管理模块**
NDF04N62ZG-VB 可用于开关电源 (SMPS) 和 LED 驱动器等电路中,依靠其高耐压特性和良好的开关速度,在高压输入电源系统中实现高效能量转换。
2. **电机控制系统**
在电机驱动系统(如风扇、泵类设备)中,该 MOSFET 可用作高压桥式逆变器中的开关器件,为感应电机提供有效的驱动控制。
3. **工业自动化控制**
工业自动化设备中,NDF04N62ZG-VB 可用在高压继电器或可控开关模块中,确保在恶劣的工业环境下可靠运行。
4. **太阳能逆变器**
由于其 650V 的高压承受能力,该 MOSFET 非常适合应用于太阳能逆变器的高压端,帮助提升电能转换效率和稳定性。
5. **电池保护电路**
在电池管理系统 (BMS) 中,该器件可以作为高压保护开关,确保电池组的安全运行,避免过压损坏。
---
**总结:** NDF04N62ZG-VB 以其出色的高压性能和平面技术,适用于多种电力电子设备和模块,特别是在需要高压开关和耐久性要求高的应用场景中,是一种可靠的选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12