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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF04N60ZG-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF04N60ZG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NDF04N60ZG-VB 产品简介  
NDF04N60ZG-VB是一款**单N沟道功率MOSFET**,采用**TO-220F封装**,其耐压高达**650V**,适用于高压应用。该MOSFET在10V栅极驱动下具备**2.56Ω的导通电阻(RDS(ON))**,并且具有良好的电流处理能力,**最大持续漏极电流为4A**。其设计基于**平面型技术(Planar Technology)**,保证了可靠性和稳定的性能输出。这款MOSFET的特性使其在高压控制、变换器和电机驱动等领域有广泛应用。

---

### 二、NDF04N60ZG-VB 详细参数说明  

| **参数**            | **值**               | **说明**                                           |
|--------------------|---------------------|--------------------------------------------------|
| **封装 (Package)** | TO-220F             | 全塑料封装,提供良好绝缘,适合高压环境。               |
| **配置**            | 单N沟道 (Single-N)  | 适合开关电源和高压驱动应用的单一通道MOSFET。             |
| **漏-源电压 (VDS)** | 650V                | 可承受的最大漏极-源极电压,适用于高压应用。              |
| **栅-源电压 (VGS)** | ±30V               | 允许的栅极-源极最大电压,增加应用设计中的灵活性。        |
| **阈值电压 (Vth)**  | 3.5V                | 栅极开启电压,确保在特定控制电压下正确开关。             |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ (@ VGS=10V) | 在标准驱动电压下的导通电阻,影响功率损耗和效率。          |
| **漏极电流 (ID)**   | 4A                  | 在给定环境下允许的最大漏极电流。                        |
| **技术 (Technology)** | 平面型 (Planar)     | 确保良好的热稳定性和一致的性能表现。                    |

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### 三、应用领域和模块示例  

1. **开关电源(SMPS)**  
  NDF04N60ZG-VB适用于AC-DC开关电源系统中的主功率开关器件。其高耐压能力(650V)可以应对电网输入的高压冲击,同时提供良好的稳定性。TO-220F封装的绝缘性有助于提高电路的安全性。  

2. **LED照明驱动器**  
  在LED照明电路中,该MOSFET可用于恒流控制电路。由于其较高的电压耐受性和较低的导通电阻,它能够提供高效率的电流控制和较低的功率损耗。  

3. **工业变频器和电机驱动**  
  这款MOSFET适用于工业变频器和小型电机驱动模块中,特别是在中低功率应用场景。其4A电流能力满足对电机启停的控制需求,提供可靠的开关性能。  

4. **电池管理系统(BMS)和逆变器**  
  NDF04N60ZG-VB在电池管理系统中可用于高压保护电路,同时在逆变器模块中能作为高效开关,帮助提升整体系统的转换效率。  

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该产品的高压能力、稳定的性能和良好的封装设计,使其广泛应用于电源管理、照明控制、以及工业自动化等领域。

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