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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NDF03N60Z-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NDF03N60Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

## NDF03N60Z-VB 产品简介  
NDF03N60Z-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和高功率应用。其最大漏源电压(VDS)达到 **650V**,适合用于各种高压电路。该器件支持 **±30V 的栅源电压 (VGS)**,具有良好的栅极阈值电压 **3.5V**,在 10V 栅压下,导通电阻(RDS(ON))为 **2560mΩ**,在相应电流条件下保持较低的功耗。NDF03N60Z-VB 的最大连续漏极电流(ID)为 **4A**,这使得它在高功率开关和线性应用中表现出色,能够提供稳定的性能和可靠的操作。

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## 参数说明  
| 参数            | 值                                   | 描述                             |
|----------------|--------------------------------------|----------------------------------|
| **封装**       | TO220F                              | 大功率、易于散热的封装         |
| **沟道配置**   | 单 N 通道                            | 适用于高压开关和功率控制       |
| **VDS**        | 650V                                 | 漏源之间的最大电压              |
| **VGS**        | ±30V                                 | 栅源之间的最大电压              |
| **Vth**        | 3.5V                                 | 栅极开启电压                    |
| **RDS(ON)**    | 2560mΩ @ VGS=10V                   | 在高栅压下的导通电阻            |
| **ID**         | 4A                                   | 最大连续漏极电流                |
| **技术类型**   | Plannar                             | 平面技术,适用于高压应用        |

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## 应用领域和模块举例  

1. **电源供应系统**  
  NDF03N60Z-VB 可用于 **高电压开关电源 (SMPS)**,提供高效的电能转换,支持各种电源管理应用,尤其在需要稳定高压输出的场合。

2. **逆变器**  
  在 **光伏逆变器** 和 **风能逆变器** 中,该 MOSFET 能够处理高电压直流输入,转换为交流电,支持可再生能源的利用。

3. **电机驱动**  
  该器件可用于 **电动机驱动** 系统,特别是在高功率和高压电机应用中,能够提供可靠的控制和驱动能力,确保高效能和长寿命。

4. **电气设备**  
  NDF03N60Z-VB 适合用于 **工业控制设备** 和 **电力设备**,能够承受高电压和高电流条件,确保设备的稳定运行和安全性。

5. **热管理系统**  
  由于其 TO220F 封装设计,该 MOSFET 具有优良的散热性能,非常适合于需要有效热管理的 **功率转换和调节电路**。

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NDF03N60Z-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,专为高压和高功率应用设计,具有优越的电气特性和广泛的应用潜力。其可靠性和出色的性能使其成为现代电源系统和高功率电子设备的理想选择。

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