--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、NDF03N60ZH-VB 产品简介
NDF03N60ZH-VB 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适合用于高压和中低电流的开关应用。该器件最大漏-源电压 (V_DS) 为 **650V**,栅-源电压 (V_GS) 操作范围为 ±30V,开启电压 (V_th) 为 **3.5V**。其导通电阻 (R_DS(ON)) 为 **2560mΩ**(@V_GS=10V),并支持 **4A** 的最大漏极电流。NDF03N60ZH-VB 使用 **平面型 (Plannar) 工艺**,提供了高电压耐受能力和稳定的工作性能,适用于需要高可靠性和隔离特性的模块,如工业电源、照明设备和充电器。
---
### 二、NDF03N60ZH-VB 详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|--------------------------|------------------------------|------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | 全封闭式塑料封装,提供电气隔离 |
| **通道配置** | 单 N 沟道 | 适合电源转换和开关应用 |
| **漏-源电压 (V_DS)** | 650V | 支持高电压工作 |
| **栅-源电压 (V_GS)** | ±30V | 可适应较宽的驱动电压范围 |
| **开启电压 (V_th)** | 3.5V | 启动电压适中,适合常规控制电路 |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 2560mΩ @ V_GS=10V | 中等负载应用的开关电阻 |
| **最大漏极电流 (I_D)** | 4A | 适用于中等电流需求的设备 |
| **技术类型** | Plannar 工艺 | 传统平面结构,保证稳定性 |
| **工作温度范围** | -55°C ~ 150°C | 适应多种工业环境 |
---
### 三、NDF03N60ZH-VB 典型应用领域和模块
**1. 工业电源和电源模块**
NDF03N60ZH-VB 适用于 **工业电源转换器** 和 **DC-DC 或 AC-DC 模块**。它能承受 650V 的高电压,特别适合用于高压直流母线供电系统。在工业设备中,该 MOSFET 可以有效地支持功率转换,确保电源模块的可靠性。
**2. 照明驱动电路**
在 LED 照明和街灯等应用中,NDF03N60ZH-VB 可用于高压恒流驱动模块。其 **TO220F 封装** 提供了较好的电气隔离能力,确保了照明系统在长时间运行中的安全性与稳定性。
**3. 适配器和充电器**
这款 MOSFET 也可用于各种 **电源适配器** 和 **电池充电器** 中。其高耐压特性可确保适配器在电网电压波动时仍能稳定运行。适用于家用电器的充电站和通用充电设备中。
**4. 能源系统和新能源模块**
在 **光伏逆变器** 和 **风能电源模块** 中,NDF03N60ZH-VB 能有效支持电流传导和电能转换,确保新能源系统在各种恶劣工况下仍然高效运行。
**5. 保护电路与浪涌抑制**
在工业和通信设备的浪涌保护电路中,该器件可用来抑制高电压瞬变对系统的冲击。NDF03N60ZH-VB 的高电压耐受能力确保了其在浪涌抑制模块中的稳定表现。
---
NDF03N60ZH-VB 以其 **650V 的高耐压**、**稳定的平面工艺** 和 **TO220F 封装**,为多种高压应用提供了理想的解决方案。其广泛适用于工业、照明、能源和通信设备中,帮助提升系统的可靠性和效率。
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