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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE65R1K2F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE65R1K2F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、NCE65R1K2F-VB 产品简介  
NCE65R1K2F-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**,采用 **TO220F 封装**,专为高压应用设计,最大 **漏源电压 (VDS)** 达 **650V**。该器件能够承受 ±30V 的栅源电压 (VGS),并具有 **3.5V** 的开启阈值电压 (Vth)。在 **VGS = 10V** 的条件下,导通电阻 (RDS(ON)) 为 **1100mΩ**,最大漏极电流 (ID) 为 **7A**。NCE65R1K2F-VB 采用 **平面技术 (Planar Technology)**,确保在高压工作环境下的稳定性和高效性能,广泛应用于各类电源转换和控制系统中。

---

### 二、NCE65R1K2F-VB 详细参数说明  

| **参数**               | **数值**                  | **说明**                          |
|------------------------|---------------------------|----------------------------------|
| **封装类型**           | TO220F                    | 提供较好的散热性能与电气连接      |
| **配置**               | 单 N-沟道 MOSFET          | 单通道开关管                     |
| **漏源电压 (VDS)**     | 650V                      | 漏极与源极之间的最大电压         |
| **栅源电压 (VGS)**     | ±30V                      | 栅极与源极之间的最大电压         |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 3.5V                      | 开启器件所需的最小电压           |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ (@VGS = 10V)       | 在高栅压下的导通电阻             |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 7A                        | 可持续承载的最大电流             |
| **技术**               | 平面技术 (Planar)         | 确保器件的可靠性与性能稳定性     |

---

### 三、应用领域与模块示例  

1. **电源转换器 (Power Converters):**  
  NCE65R1K2F-VB 非常适合用于 **AC-DC 和 DC-DC 转换器**,可在高压下高效转换电能,提供稳定的输出电压。

2. **工业设备 (Industrial Equipment):**  
  该器件可应用于 **工业电源控制系统**,为各种机械设备提供安全和可靠的电源管理解决方案,确保设备在高压条件下的正常运行。

3. **电动工具 (Power Tools):**  
  NCE65R1K2F-VB 能用于 **电动工具的电源管理**,实现高效的电流控制,确保工具在高负载下的稳定性和性能。

4. **家用电器 (Home Appliances):**  
  在如洗衣机、冰箱等 **家电的电源模块** 中,NCE65R1K2F-VB 可作为关键组件,为电器提供稳定的工作电源,增强家电的智能控制能力。

5. **电源适配器 (Power Adapters):**  
  此器件可广泛用于 **高压电源适配器**,如笔记本电脑和其他便携式设备,提供高效的电源管理。

6. **LED 驱动 (LED Drivers):**  
  NCE65R1K2F-VB 也适用于 **LED 照明驱动电源**,在高压下为 LED 提供稳定的驱动电流,保证照明效果和寿命。

---

NCE65R1K2F-VB 是一款设计用于 **高压应用** 的 MOSFET,具备 **650V** 的耐压能力和 **平面技术**,在各类电源转换和控制应用中表现出色。其 **TO220F 封装** 使其在散热和电气连接方面有优越的性能,能够满足现代电源管理系统对高效能和可靠性的需求。

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