企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

MDF7N60TH -VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: MDF7N60TH -VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

MDF7N60TH-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高压应用设计。该器件能够承受高达650V的漏源电压(VDS)和30V的栅源电压(VGS),其阈值电压(Vth)为3.5V,具有出色的开关特性和电流控制能力。MDF7N60TH-VB的导通电阻(RDS(ON))为1100mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为7A。该器件采用平面(Plannar)技术,适合于电源管理、工业控制、汽车电子等多个领域,能够在高可靠性和高效率的环境中提供卓越的性能。

### 二、详细参数说明

| 参数                     | 详细说明                         |
|-------------------------|--------------------------------|
| **型号**                | MDF7N60TH-VB                   |
| **封装**                | TO220F                         |
| **沟道类型**            | 单N沟道                        |
| **最大漏源电压 (VDS)**   | 650V                           |
| **最大栅源电压 (VGS)**   | ±30V                           |
| **阈值电压 (Vth)**       | 3.5V                           |
| **导通电阻 (RDS(ON))**   | 1100mΩ @ VGS=10V              |
| **最大漏极电流 (ID)**    | 7A                             |
| **技术**                | 平面技术(Plannar)            |

### 三、应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**:
  MDF7N60TH-VB适合用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等电源管理应用。由于其650V的耐压特性,该器件能够有效应对高电压环境下的电能转换,确保系统的高效能和稳定输出。

2. **工业控制设备**:
  该MOSFET可广泛应用于工业自动化和控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和电机驱动电路。凭借其7A的最大漏极电流能力和可靠的开关性能,MDF7N60TH-VB在各种负载条件下提供稳定的电流控制。

3. **汽车电子**:
  在汽车电子应用中,如电动助力转向、动力系统控制和LED照明,MDF7N60TH-VB可作为高压开关和控制元件,确保汽车电子系统的高效和可靠运行,适应汽车环境中的高电压要求。

4. **家电控制模块**:
  在家用电器领域,该MOSFET可以应用于微波炉、洗衣机等设备的电机驱动和开关控制,支持高压启动和持续的电流供应,以确保家电的安全和高效工作。

5. **高压照明系统**:
  MDF7N60TH-VB也适用于高压照明解决方案,如LED驱动电路和氙灯控制模块。凭借其高耐压和较低的导通电阻,该MOSFET可实现高效的照明解决方案,确保光源的亮度和使用寿命。

MDF7N60TH-VB以其高耐压和良好的电流控制能力,适用于多种需要高压开关的场景,包括电源管理、工业控制、汽车电子及家电等领域,为用户提供可靠的电力管理和控制方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    729浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    607浏览量