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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MDF5N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: MDF5N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### MDF5N50-VB MOSFET 产品简介

MDF5N50-VB 是一款采用**TO220F封装**的高压**单N沟道MOSFET**,设计用于高电压和中等电流应用。其额定漏源电压(VDS)为**650V**,栅源电压(VGS)为**±30V**,阈值电压(Vth)为**3.5V**,导通电阻(RDS(ON))为**1100mΩ** @ VGS=10V,漏极电流(ID)高达**7A**。该MOSFET使用**平面(Plannar)技术**,旨在提供可靠的性能,广泛应用于电源管理、电力转换和电动机控制等领域。

### MDF5N50-VB 详细参数说明

- **器件类型**:单N沟道MOSFET  
- **封装**:TO220F  
- **漏源电压(VDS)**:650V  
- **栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:  
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流(ID)**:7A  
- **技术**:平面(Plannar)  
- **最大功耗(Pd)**:支持高功率应用,具有良好的散热能力  
- **反向恢复时间(trr)**:适合快速开关应用  
- **栅电荷(Qg)**:较低,减少开关损耗  
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C  
- **最大浪涌电流**:具备短时高电流承载能力  
- **ESD耐受性**:优越的抗电静电能力,适合恶劣工业环境  
- **热阻**:优化设计,保证良好的散热性能  

### MDF5N50-VB 适用领域和模块

1. **开关电源(SMPS)**:MDF5N50-VB 由于其650V的耐压特性,非常适合用于开关电源的设计中。它能够有效地控制电能的转换,在电源适配器、充电器及各种电源模块中,确保高效的能量传递。

2. **电力转换器**:该MOSFET适用于高压电力转换器,如**直流-直流变换器**和**交流-直流变换器**。其高电压和中等电流特性,使其成为电力调节和控制电路的理想选择,广泛用于电机驱动和电源管理系统。

3. **电动机控制**:MDF5N50-VB 可以用于各种电动机控制模块,包括**无刷直流电机(BLDC)**驱动和步进电机控制。其可靠的开关性能和高耐压能力,确保了在电机启动和停止过程中的平稳控制。

4. **照明控制系统**:在高压LED照明应用中,该MOSFET可用于调节和控制LED驱动电流,尤其适合**高压LED驱动器**,在商用和工业照明领域中具有广泛应用。

5. **工业设备**:在工业自动化和控制设备中,MDF5N50-VB 可以用于电源模块、传感器电源和其他高压电源系统。其高耐压和可靠性使其适用于各种严苛环境下的电力管理应用。

总的来说,MDF5N50-VB 是一款高效、可靠的高压N沟道MOSFET,适用于多个领域,能够有效提升系统的性能和效率,降低能耗,确保设备的长期稳定运行。

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