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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MDF4N65B-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: MDF4N65B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### MDF4N65B-VB MOSFET 产品简介

MDF4N65B-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS)。其栅极阈值电压为3.5V,导通电阻为2560mΩ@VGS=10V,连续漏极电流为4A。该器件基于平面技术(Plannar),非常适合高压应用,尤其是在对功率损耗敏感的场合。该产品凭借其可靠性和高耐压性能,非常适用于电源管理、开关电源以及工业和消费类电器的高压转换模块中。

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### MDF4N65B-VB 详细参数说明

- **器件类型**:单N沟道MOSFET
- **封装**:TO220F
- **技术**:平面工艺(Plannar)
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(栅极阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
 - 2560mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏极电流)**:4A
- **功率耗散**:取决于散热设计
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **特性**:
 - 650V高压适用于高压应用场景
 - 中等电流能力适合中等功率需求
 - 平面技术提供稳定的开关特性

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### 应用领域和模块示例

1. **开关电源(SMPS)**:
  MDF4N65B-VB 非常适合用于开关模式电源(SMPS),其高耐压特性使得它可以处理输入端的高电压转换,同时其适中的漏极电流能力确保能够支持中功率应用,如小型家电、LED照明驱动和低功率逆变器。该器件在转换过程中能够提供较高的效率,降低系统损耗。

2. **工业控制设备**:
  在工业控制系统中,MOSFET通常用于控制电机驱动、PLC系统和传感器模块。MDF4N65B-VB 的高压特性使其在这些系统中充当可靠的电源开关,能够处理复杂的电力转换和控制需求,并确保设备稳定运行。

3. **家电电源模块**:
  MDF4N65B-VB 广泛应用于家用电器的电源管理模块中,例如空调、洗衣机、微波炉等。由于其高压承载能力,适用于各种家用电器中的电源调节模块,可以提高电力使用效率,降低能耗,并提高设备的长期运行可靠性。

4. **LED驱动器和照明控制**:
  在LED照明和驱动器电源中,MDF4N65B-VB 的650V耐压特性使其能够处理高压输入,在驱动LED灯时提供稳定的电流和电压输出。通过降低功耗,它有助于提高LED照明系统的能效和使用寿命。

5. **光伏逆变器和储能系统**:
  MDF4N65B-VB 可以用于太阳能光伏逆变器和储能系统,帮助从太阳能电池板获取电能并转换为可用的交流电。其高耐压和中等电流能力确保能够有效处理太阳能发电过程中的电力转换和调节。

MDF4N65B-VB 是一款适合中等功率、高压应用的N沟道MOSFET,广泛应用于电力转换系统、家用电器电源管理、工业控制设备及照明系统中。

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