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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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KF7N68F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: KF7N68F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### KF7N68F-VB MOSFET 产品简介:

KF7N68F-VB 是一款高性能的单极 N 通道功率 MOSFET,专为高电压和中等电流开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)额定值为 ±30V,确保该器件在高电压环境下的可靠性。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 3.5V,使其在正常工作条件下具有良好的响应性。在 VGS=10V 时,导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,能够有效降低导通损耗。其电流处理能力(ID)为 7A,采用平面技术制造,具有良好的开关性能和可靠性。

### 详细参数说明:

1. **封装**:TO220F  
  - 该封装设计提供优良的散热性能,同时在 MOSFET 与散热器之间提供电气绝缘,适合高功率和高电压应用。

2. **配置**:单极 N 通道  
  - 简单且易于使用的配置,适用于多种开关应用。

3. **VDS(漏源电压)**:650V  
  - MOSFET 可承受高达 650V 的漏源电压,适合用于高电压电源电路。

4. **VGS(栅源电压)**:±30V  
  - 栅源电压限制,允许在电压波动的环境中安全工作。

5. **Vth(阈值电压)**:3.5V  
  - MOSFET 需要 3.5V 的栅源电压才能开启,适合与标准控制逻辑兼容。

6. **RDS(ON)(导通电阻)**:1100mΩ @ VGS=10V  
  - 低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率,适合中等电流应用。

7. **ID(连续漏电流)**:7A  
  - 该 MOSFET 可以处理高达 7A 的连续电流,适合中等功率开关应用。

8. **技术**:平面技术  
  - 平面技术以其高稳定性和高效能著称,适合多种通用电源和负载控制应用。

### 应用实例:

1. **开关电源(SMPS)**:  
  KF7N68F-VB MOSFET 可广泛应用于开关电源设计中,尤其在功率因数校正(PFC)和输出整流电路中。其高电压承受能力和较低的导通电阻使其在各类消费电子产品的电源适配器中表现出色。

2. **电动机控制**:  
  由于其 650V 的 VDS 额定值,该 MOSFET 非常适合用于电动机驱动控制应用,如空调、洗衣机等家用电器。其能在逆变器电路中作为开关,满足中等电流驱动的需求。

3. **LED 照明系统**:  
  KF7N68F-VB MOSFET 可以用于 LED 照明应用中,作为开关元件控制高电压 LED 驱动电路,适合工业和商业照明解决方案。

4. **HVAC 系统**:  
  在加热、通风和空调(HVAC)系统中,KF7N68F-VB 可用于控制压缩机和风扇的电动机,凭借其高电压承受能力,能够在各种操作条件下保持稳定。

5. **工业电源转换器**:  
  KF7N68F-VB MOSFET 还可以在小型工业电源转换器中用作开关元件,以处理高电压电源转换,提供可靠的电源解决方案,适用于中功率应用。

KF7N68F-VB MOSFET 的设计使其在高电压和中等电流的应用场景中表现出色,为多种电源和驱动电路提供了高效、可靠的开关解决方案。

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