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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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KF7N65F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: KF7N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### KF7N65F-VB MOSFET 产品简介:

KF7N65F-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET,专为高压开关应用而设计,采用 TO220F 封装。其漏极-源极电压(VDS)额定值为 650V,栅极-源极电压(VGS)额定值为 ±30V,使其在高电压环境下的操作非常可靠。阈值电压(Vth)为 3.5V,确保其具有良好的开关特性。在 VGS=10V 时,其 RDS(ON) 值为 1100mΩ,能够有效降低导通损耗。KF7N65F-VB 的额定漏电流(ID)为 7A,适合多种中等功率应用。采用平面技术(Plannar),进一步提高了该 MOSFET 的稳定性和可靠性。

### KF7N65F-VB 的详细参数:

- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道
- **VDS(漏极-源极电压)**:650V
- **VGS(栅极-源极电压)**:±30V
- **Vth(栅阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(漏源通阻)**:1100mΩ @ VGS=10V
- **ID(连续漏电流)**:7A
- **技术**:平面技术(Plannar)

### KF7N65F-VB MOSFET 的应用示例:

1. **开关模式电源(SMPS)**:KF7N65F-VB 非常适合高压开关电源设计,例如在开关模式电源(SMPS)和反激变换器中使用。其 650V 的高电压额定值确保了在电源适配器和其他电源模块中能够安全、高效地运行。

2. **电机驱动控制**:该 MOSFET 可以用于电机驱动电路,特别是在家电和工业设备中。其 7A 的电流能力能够满足电动机的启动和运行要求,能够有效地管理电机的启停和速度控制,提高能效。

3. **LED 驱动和照明应用**:KF7N65F-VB 适用于高压 LED 驱动电路,广泛应用于商业和住宅照明系统。由于其低导通电阻和高电压能力,这款 MOSFET 能够提供稳定的电流输出,确保 LED 照明的亮度和效率。

4. **逆变器和变换器模块**:在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能发电系统,KF7N65F-VB 的高压和高电流能力使其能够高效地将直流电转换为交流电,广泛应用于光伏系统和储能解决方案,帮助用户提高能量利用效率。

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