--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介 – KF6N60F-VB
KF6N60F-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。该器件具备 650V 的漏极-源极电压 (VDS) 和 ±30V 的栅极-源极电压 (VGS),使其成为电力电子领域中极具竞争力的选择。KF6N60F-VB 具有 3.5V 的开启阈值电压 (Vth) 和 1100mΩ 的导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V,能够在较低栅极驱动电压下实现良好的导通性能。基于 Plannar 技术的设计,KF6N60F-VB 提供了卓越的热性能和可靠性,适用于各类功率转换和控制应用。
### 详细参数说明 – KF6N60F-VB
- **封装类型**:TO220F
- **沟道配置**:单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **开启阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar
- **最大功率耗散**:约 50W,具体取决于散热条件
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **封装引脚配置**:标准 TO220F 封装,支持更好的散热性能和便于 PCB 安装
### 适用领域和模块举例
1. **开关电源(SMPS)**
KF6N60F-VB 是开关电源中理想的功率开关元件,尤其是在高电压和高效率的 AC-DC 转换器中。其高耐压和低导通电阻特性使其在高负载情况下保持高效运行,减少了能量损失,提高了整体系统的效率。
2. **马达控制**
在电动机控制应用中,该 MOSFET 可用于控制直流电动机和步进电动机。其可承受的高电压和连续漏极电流特性,确保了电机在启动、运行和调速过程中稳定可靠。
3. **逆变器**
KF6N60F-VB 适合用于逆变器,尤其是在可再生能源领域的太阳能逆变器中。高电压能力和良好的开关性能能够确保在高电压和高频率条件下有效地将直流电转化为交流电,支持高效能的电力转换。
4. **LED 驱动器**
该器件还可以用于高功率 LED 照明驱动器中。在LED照明系统中,KF6N60F-VB 能够稳定控制LED的工作电流,保证照明亮度的一致性和稳定性。
KF6N60F-VB 以其出色的性能、广泛的应用范围及高可靠性,使其成为各种电力电子系统中重要的元件,满足高效能和高稳定性的需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12