--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### KF3N50FZ-VB MOSFET 产品简介:
KF3N50FZ-VB 是一款单极 N 通道功率 MOSFET,专为高电压开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)额定值为 ±30V,使其非常适合需要可靠开关的高电压电路。阈值电压(Vth)为 3.5V,确保高效的栅控,同时在 VGS=10V 时的 RDS(ON) 为 2560mΩ,可以在中等电流操作中将导通损耗降至最低。该 MOSFET 的电流处理能力(ID)为 4A,采用平面技术制造,适合一致的性能和强大的开关过渡处理能力。
### 详细参数说明:
1. **封装**:TO220F
- 完全绝缘的封装,提供良好的散热性能,并在 MOSFET 与散热器之间提供电气绝缘,适用于高电压应用。
2. **配置**:单极 N 通道
- 一种简单易用的配置,其中 N 通道 MOSFET 是主要开关。
3. **VDS(漏源电压)**:650V
- MOSFET 可承受最高 650V 的漏源电压,适合高电压电源电路。
4. **VGS(栅源电压)**:±30V
- 栅源电压限制允许在控制电压可能发生波动的环境中运行。
5. **Vth(阈值电压)**:3.5V
- MOSFET 需要 3.5V 的栅源电压才能开启,使其对标准控制逻辑反应灵敏。
6. **RDS(ON)(导通电阻)**:2560mΩ @ VGS=10V
- 相对较高的导通电阻意味着该器件更适合低功率负载,且在高效能不是首要目标的情况下使用。
7. **ID(连续漏电流)**:4A
- MOSFET 可以处理高达 4A 的连续电流,适合中等电流开关应用。
8. **技术**:平面技术
- 平面 MOSFET 技术以其简单性和可靠性著称,特别适用于对开关速度要求不是很高的应用。
### 应用实例:
1. **消费电子的电源供应**:
KF3N50FZ-VB MOSFET 可用于低功率 AC-DC 转换器,特别是在小型至中型电源的 PFC(功率因数校正)或输出整流阶段。例如,在台式机电源适配器或液晶电视电源板中,该器件的高 VDS 额定值确保在高电压开关中可靠运行。
2. **家电的电动机驱动控制**:
由于其 650V 的 VDS 额定值,这款 MOSFET 适合用于家电如洗衣机或冰箱的电动机控制应用。该 MOSFET 可以在此类设备的逆变器电路中使用,以驱动中等功率需求的电动机。
3. **照明系统**:
在工业或户外 LED 照明系统的照明镇流器中,KF3N50FZ-VB MOSFET 可用于控制高电压开关操作,特别是在对效率和尺寸约束不如高效照明要求苛刻的环境中。
4. **HVAC 系统**:
该 MOSFET 可在加热、通风和空调(HVAC)系统中实施,用于切换中等电流需求的高电压负载。它可能是管理压缩机和风扇电动机的控制模块的一部分。
5. **工业电源逆变器**:
在不需要超高效率但需处理高电压的小型工业逆变器中,KF3N50FZ-VB MOSFET 可管理逆变器电路中的开关操作,为中功率应用提供可靠选项。
这款 MOSFET 非常适合在高电压下对成本效益和稳健性要求较高的应用,而不是在超高频率下最小化损耗或快速开关。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12