--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介 — K9A55DA-VB MOSFET
K9A55DA-VB 是一款高电压单极性N沟道MOSFET,采用TO220F封装,能够承受高达650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS)。其阈值电压为3.5V,使用平面技术(Plannar)制造,具备680mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V,最大漏极电流为12A。K9A55DA-VB 具有出色的耐压特性和高效的电流管理能力,非常适合用于高压电源转换和控制应用,能够确保系统在高负载下的稳定运行。
### 详细参数说明 — K9A55DA-VB MOSFET
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单一N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 680mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:12A
- **技术类型**:平面技术(Plannar)
### 应用领域与模块示例
1. **高压开关电源(High Voltage Switching Power Supplies)**
K9A55DA-VB 非常适合用于高压开关电源设计,能够处理高达650V的输入电压,确保电源转换过程中的高效能量传输。这种特性使其成为工业电源和通信电源等领域的重要选择。
2. **太阳能逆变器(Solar Inverters)**
在太阳能逆变器中,K9A55DA-VB 可以用来将直流电转换为交流电,适用于光伏发电系统。其高耐压和高电流能力有助于提高整体效率,降低能耗,使系统在不同的负载条件下保持稳定工作。
3. **电动汽车充电设备(Electric Vehicle Charging Equipment)**
K9A55DA-VB 适用于电动汽车充电设备,能够有效管理高压充电过程。其耐压和导通电阻特性保证了在快速充电时的安全性与高效性,是现代电动汽车充电系统的关键组件之一。
4. **家用电器(Home Appliances)**
该MOSFET 还可用于家用电器中,如空调和电冰箱等设备的电源管理模块。它能够在高负载条件下稳定工作,确保家电的高效能与可靠性,提升用户的使用体验。
5. **工业自动化设备(Industrial Automation Equipment)**
在工业自动化领域,K9A55DA-VB 可用作驱动电机和高压设备的开关器件。其可靠的高耐压特性使其成为各种工业控制模块的理想选择,有助于提高设备的整体效率与安全性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12